1.台积电“冷落”High-NA EUV光刻机启示录
2.引领TGV技术创新，国内激光企业领航先进封装新风向
3.成都芯百特微电子有限公司盛大开业，加速高性能射频芯片产业化进程
4.高层震荡？五大晶圆代工厂10天内密集宣布人事任命
5.欲成AI PC的王，微软有“龙”才灵光
6.机构：下半年中国台湾晶圆厂产能利用率优于预期，最高达90%
7.英伟达Q1营收及Q2预测均超预期 公布股票分割计划
1.台积电“冷落”High-NA EUV光刻机启示录
相比于激进的英特尔，不仅已完成业界首台商用高数值孔径（High-NA）EUV的组装工作，更有消息放出英特尔已“承包”ASML今年全部高NA EUV光刻机产能，台积电却依旧“淡定”，表示继2nm之后推出的A16（1.6nm）制程也不会采用该光刻机。
作为代工业的常胜将军，台积电作出的这一决定应是深思熟虑之举。
而背后释放的另一重深意更值得深思：1.6nm不用高数值孔径EUV也可实现，不仅实现了对高NA光刻机的祛魅，也为持续在追赶中的大陆代工业带来新的启示。
有专家指出，对于光刻技术可能要重新认识，之前认为2nm必须采用高NA光刻机，而台积电开创先河直接拒用。反观之前业界认为美国阻止EUV出口大陆，大陆在先进制程领域只能止步于7nm，如此来看或许提升至5nm也不是没有可能。
平衡成本和技术
在前不久台积电举办的2024年北美技术论坛，台积电首次公布了A16制程工艺，并透露A16制程工艺不需要采用下一代高NA EUV光刻机，预计2026年量产。
如此笃定，充分表明台积电已找到了在现有EUV光刻机经济高效地使用双重曝光等方法实现1.6nm的途径。
上述专家对集微网表示，工艺制程离不开设备，可以说有先进设备才能实现更先进的制程，但台积电此次暂缓引入高NA光刻机，可能是尽管采用了多重曝光，相对工艺步骤多、周期长、成本高，但采用高NA光刻机可能风险更大，台积电应是认为采用原有的EUV更为经济且可行。
而台积电豪言让现有EUV发挥“余热”，还在于其多年来在EUV领域积累了丰富的经验，通过持续创新不断提高生产率、降低成本和功耗。台积电于2019年开始在其N7+工艺上使用EUV，通过优化EUV曝光剂量及其使用的光刻胶，改进光罩薄片延长寿命、提升产量、降低缺陷率等等，如今光刻机数量增加了十倍，但晶圆产出是2019年的30倍，且仍将持续改进，这也成为其未来支撑1.6nm工艺的重要支柱。
除保证可行性、让现有EUV发挥余热之外，台积电暂缓高NA EUV引入亦是应对成本、挑战和客户需求的权衡之举。
尽管高NA EUV工具在提高制程效率和性能方面具有巨大潜力，但其价格十分昂贵，据悉一台高NA EUV成本高达3.5亿欧元，比现有EUV的1.7亿欧元约高出2倍多。连台积电资深副总经理张晓强也直言高NA EUV虽然性能令人满意，但“价格实在太高了”。而且，引入高NA光刻机并不表明万事大吉，不仅要解决相应的挑战，如可以支持光子散粒噪声和生产力要求的光源；满足0.55NA小焦点深度的解决方案；计算光刻能力；掩膜制造和计算基础设施包括新型材料等等，还需要一定的调试和开发时间，兼顾稳定性，投入的时间和隐形的成本可以想见。
此外，市场需求也需考量。有行业人士李弈（化名）指出，采用高NA光刻机制造的芯片成本巨增，虽然每片晶圆切割的芯片更多，但需要销售更多的芯片才能弥补投入，目前仍无法判断最先进工艺市场需求能否有足够的量来消化成本。
“单靠手机AP芯片市场难以支撑，AI芯片的需求能否支撑仍待观察。本来AI最大的市场在中国，现在被限制后找不到第二个市场能够支撑，市场预期并不好。”李弈说。
因而，台积电持续采用现有EUV实现1.6nm，不仅可大幅降低总体成本，在成本和技术之间寻求了平衡，还进一步彰显了台积电对于成本控制和技术更新速度的深刻理解。
背面供电将全面硬杠
值得关注的是，台积电A16工艺将结合GAAFET与背面供电，以提升逻辑密度和能效。与N2P相比，A16工艺芯片预计在相同电压和复杂度下性能提升8%-10%，在相同频率和晶体管数量下功耗降低15%-20%，且密度将提升1.1倍。
在之前的2nm节点，台积电已全面导入GAAFET晶体管技术，因而其1.6nm工艺更突出的特征还在于背面供电。
作为继工艺缩进、3D封装后第三个提高芯片晶体管密度和能效的革新之一，背面供电不仅是半导体工艺创新的重要发展方向之一，也成为先进工艺比拼的新“竞技场”。
在这一技术领域，英特尔仍是先行者，计划在2024年上半年首次应用于其节点Intel 20A（相当于2nm)，并计划在未来量产中应用于Arrow Lake平台。而三星也想先下一程，将背面供电技术应用提前，原定于2027年对背面供电技术商业化，搭载于1.7nm制程，但近期爆料显示三星将修改路线图，最早将于2025年2nm制程应用背面供电技术。
这也意味着，三大巨头的对决不止在2nm GAA层面，在背面供电领域也将火力全开，谁能更胜一筹或成为未来对决的胜负手之一。
有分析称，台积电的背面供电尽管比英特尔推出晚了一两年，但其新型超级电源轨BSPDN技术将背面电源网络直接连接到每个晶体管的源极和漏极，比英特尔PowerVia与晶体管开发分开的方案更为复杂，在面积缩放层面更为有效。
1nm或将引入高NA光刻机
细究台积电的成功之路，台积电从来就不争“第一个吃螃蟹者”，无论是从DUV转向EUV，还是选择GAA，台积电均倾向于确保新技术的成熟和可靠性之后再进行部署，其“稳健”的台风一直在沿续。
以EUV为例，当三星在2018年开始在其7nm工艺中使用EUV之际，业界也普遍认为EUV必不可少之际，台积电依靠成熟的DUV光刻机仍成功地开辟了首条7nm产线，巧妙地避开了当时EUV光刻机的不完善和高昂成本，同时也印证了它在技术进阶路线选择上的准确判断。直到EUV的稳定性和成熟性得到确认，才在2019年的N7+工艺中开始使用EUV。相较之下，三星率先采用EUV的勇气可嘉，但由于良率问题反而让台积电后来居上。
此外，在与三星3nm制程竞赛中，台积电并没有急于使用GAAFET，而是依旧选择稳妥的FinFET路线。尽管三星在3nm先声夺人，但良率过低和反复跳票让台积电在3nm后发先至，捷报频传，客户的“集体投票”即是明证。
从不冒进的台积电坚定地遵循着一步一个节点的演进策略，稳扎稳打不断突破，如同接力赛中的优秀接力手，将前一棒的优秀成果传递至下一棒，在先进工艺的长跑赛中以定力和耐力持续成功登顶。接下来的问题是尽管台积电在1.6nm工艺划了高NA光刻机的“红线”，但未来在哪一节点引入也成为业界关注的话题。
台积电之前公布的路线图显示，基1.4nm级A14工艺预计在2027年至2028年之间推出，而1nm级A10工艺的开发预计将在2030年前完成。有消息指出，台积电可能会等到1nm工艺上线后才会考虑使用下一代光刻机，按照目前的节点迭代速度，或在2029年至2030年间采用高NA EUV系统。
上述专家对此表示，在市场经济中只要企业自主决定，一定是适合自己的策略。对台积电来说，后续引入高NA光刻机或是认为达到其投入和产出、以及技术成熟度的平衡点。
大陆工艺进阶如何借鉴
探寻台积电最近的这一系列稳健决策，以及工艺稳健的演进历史，对于处于风口浪尖的大陆半导体产业来说，无疑具有重要的启示作用。
尤其是在当下大陆在EUV光刻机获取全面受阻的情况下，李弈建议，台积电通过深入挖掘现有EUV光刻机的潜力，可支撑未来的1.6nm工艺，而大陆代工业如何借助DUV光刻机向7nm乃至下一步5nm制程发起冲刺应当有希望，应着力在光刻胶、光罩、多重曝光技术等领域持续创新突破，以全面提升利用DUV实现更先进制程的可能性。
还要意识到的是，台积电的成功不仅取决于工艺的持续迭代和良好的良率，客户的信任为其持续迭代提供了强大的助力。
有报道指出，在3nm时代，台积电报价超过2万美元，较4nm/5nm代工价格高出4000美元。这种高价让众多客户望而生畏，然而苹果仍然选择台积电代工，并包圆了起步时的所有产能。进入2nm，台积电依旧有苹果“撑腰”。
近日苹果首席运营官Jeff Williams访问台积电，双方举办了一场“秘密会议”，苹果将为其自研AI芯片“包圆”台积电所有初期2nm工艺产能。据行业预测，如果苹果预定台积电2nm乃至更先进制程的首批产能，则预估苹果将贡献台积电营收达新台币6000亿元约合1345.8亿元，有望再创新高。
台积电和苹果的深层次捆绑背后，是双方互利共赢的双向奔赴。对于大陆代工业来说，扩大自己的朋友圈、扩展有实力的合作伙伴也是未来向前发展的必修课。
路在脚下事在人为，台积电暂缓引入高NA的战略选择不止是自己的实力、底气和稳健使然，更是对大陆半导体工艺自主创新发展的一次深远鼓舞，大陆探索出一条通往先进制程的独特道路必有可为，大有可为。
2.引领TGV技术创新，国内激光企业领航先进封装新风向
在全球半导体技术迅猛发展的今天，先进封装技术成为推动行业进步的关键力量，而玻璃基板已成为重塑产业格局、决定未来胜负的重要战场之一。作为全球领先的激光精密微纳加工装备制造商，帝尔激光宣布其玻璃通孔激光设备已经在小规模生产中得到应用。
玻璃基板来袭，TGV成为核心挑战
人工智能、数据中心、自动驾驶汽车、5G等高性能计算技术正推动新一轮半导体增长周期。高性能计算的应用场景不断拓宽，对算力芯片性能提出更高要求，在物理瓶颈拖慢摩尔定律步伐的情况下，先进封装与晶圆制造技术相结合可以满足计算能力、延迟和更高带宽的要求，成为后摩尔时代集成电路技术发展的一条重要路径，重要性与日俱增。
在先进封装浪潮中，随着对更强大计算的需求增加，半导体电路变得越来越复杂，信号传输速度、功率传输、设计规则和封装基板稳定性的改进将至关重要。当前主流采用的塑料基板（有机材料基板）很快就会达到容纳的极限，特别是它们的粗糙表面，会对超精细电路的固有性能产生负面影响；此外，有机材料在芯片制造过程中可能会发生收缩或翘曲，导致芯片产生缺陷。随着更多的硅芯片被封装在塑料基板上，翘曲的风险也会增加。
与有机基板相比，玻璃基板凭借其卓越的平整度、绝缘性、热性能和光学性质，为需要密集、高性能互连的新兴应用提供了传统基板的有吸引力的替代方案，开始在先进封装领域受到关注。去年来，英特尔、三星等先后宣布了在玻璃基板技术上的投资和布局，英伟达、AMD、苹果等大厂也均表示将导入或探索玻璃基板芯片封装，使得该技术一跃成为半导体市场最受关注的焦点。
先进封装中2.5D和3D IC集成方案是实现下一代性能要求和适用于商业产品的关键组成部分，超高密度的I/O连接可利用中介层实现，最突出和最广泛使用的中介层类型之一是硅通孔——TSV中介层。而在玻璃基板中，同样通过高密度的通孔来提供垂直电连接，它们被称为玻璃通孔(TGV) ，形成高质量、高密度的TGV通孔对于中介层至关重要。
TGV成孔技术需兼顾成本、速度及质量要求，挑战在于其需要满足高速、高精度、窄节距、侧壁光滑、垂直度好以及低成本等一系列要求。多年以来，业界及学界许多研究工作都致力于研发低成本、快速可规模化量产的成孔技术。一般而言，TGV可利用喷砂法、光敏玻璃法、聚焦放电法、等离子刻蚀法、电化学法、激光诱导刻蚀法等技术进行成孔制作。
截至目前，激光诱导刻蚀优势明显且已获应用，有望在成孔技术中脱颖而出，使得激光刻蚀设备成为成孔工艺核心设备之一。
抢占先机，帝尔激光落子TGV技术
帝尔激光自2008年成立以来，一直致力于激光技术的研发与创新，在光伏、新型显示和集成电路等泛半导体领域提供一体化的激光加工综合解决方案。目前，公司的激光加工技术已广泛应用于PERC、TOPCon、IBC、HJT、钙钛矿等高效太阳能电池及组件等领域，核心产品综合全球市占率长期保持在80%以上。其PERC激光消融、SE激光掺杂等技术直接推动了第二轮光伏产业升级，针对正在进行的第三轮光伏产业升级，也已经推出BC微刻蚀、PTP激光转印、TCSE激光一次掺杂、LIF激光诱导烧结、组件封装整线等多款关键新型装备。
在新型显示领域，帝尔激光发挥激光技术在薄膜材料、硬脆透明材料和特殊薄金属材料等方面的优势，推出了OLED/MiniLED激光修复、MicroLED激光巨量转移、激光巨量焊接等装备。在集成电路领域，帝尔激光聚焦第三代半导体、先进封装等技术发展与革新需求，瞄准半导体领域关键需求和核心问题，开发多款先进半导体激光技术，推出了TGV激光微孔、IGBT/SiC激光退火、晶圆激光隐切等装备。
帝尔激光深耕激光加工领域多年，始终坚持原始创新，探索激光技术应用“无人区”。2023年，帝尔激光研发费用达2.51亿元，营收占比达15.58%，同比2022年增长超过90%。2024年一季度，研发费用为6996万元，相比去年同期增幅超60%。
在技术实力的加持下，2023年，公司实现营业收入16.09亿元，同比增长21.49%；归母净利润4.61亿元，同比增长12.16%。2024年一季度，公司实现营业收入4.50亿元，同比增长29.60%；归母净利润1.35亿元，同比增长44.48%。
洞察到TGV技术在先进封装市场中的重要地位，以及其在实现高性能计算封装中的关键作用，帝尔激光紧跟行业发展趋势，已于2022年实现首台TGV玻璃通孔激光设备出货。
帝尔激光主要聚焦于“激光诱导改质+化学蚀刻”的方式，在玻璃内部形成巨量通孔结构，为后续的金属化工艺实现提供条件，主要应用场景包括玻璃封装基板、Mirco LED基板、IPD集成无源器件、MEMS转接板、微流控器件、其他玻璃微结构等，支持石英、硼硅、钠钙、铝硅等多种不同玻璃材质，可根据需求在基板上实现圆孔、方孔、埋孔、通孔以及微槽等多形态工艺。
图：100:1深径比玻璃通孔
帝尔激光推出的TGV设备通过激光加速可控蚀刻LACE(Laser Accelerated Controlled Etching)技术，利用超高峰值功率密度整形后的激光束，瞬间作用在透明材料内部形成微小的激光改质通道，再基于改质与非改质区域的异向腐蚀速率特性，化学蚀刻形成一定深径比、形貌可控的通孔。在深孔特性方面，最大深径比达到100:1，最小孔径≤5µm，最小孔间距≤10µm。
图：ThruGlas LA-300
图：ThruGlas LA-510
该系列设备包括ThruGlas LA-300和ThruGlas LA-510两个平台，LA-300适用于晶圆级封装，支持4-12寸圆片或方片；LA-510适用于板级封装，最大支持650*650mm基板。
TGV产业静待起飞，生态建设是重中之重
在AI高性能芯片需求的推动下，玻璃基板封装被寄予厚望。据Prismark统计，预计2026年全球IC封装基板行业规模将达到214亿美元，而随着英特尔等厂商的入局，玻璃基板对硅基板的替代将加速，预计3年内玻璃基板渗透率将达到30%，5年内渗透率将达到50%以上。显然，尽管玻璃基板被行业巨头认为是半导体封装游戏规则的改变者，当前仍处于早期阶段，要实现从小规模示范尽快向大批量制造平稳过渡，需要整个产业链的共同前进。
纵观行业格局，目前全球玻璃基板市场高度集中，核心技术、高端产品仍掌握着国外先进企业中。News Channel Nebraska Central 2022年数据显示，美国是最大的TGV晶圆市场，拥有约46%的市场份额，欧洲紧随其后，约占25%的市场份额。在TGV晶圆市场的主要参与者中，康宁、LPKF、Samtec、Kiso Micro、Tecnisco等全球前五名厂商占有率超过70%。
值得注意的是，国内在玻璃基板封装领域势头迅猛，技术发展和产能增速高于全球平均水平。有数据预测，在2024年至2026年期间，国内将拥有超过160万片/月的玻璃晶圆设计产能。
据悉，帝尔激光TGV设备目前已经实现小批量订单，同时有多家客户在打样试验。未来，帝尔激光将继续提升TGV激光通孔设备的性能指标，积极推进相关技术迭代升级以响应更高的产业需求。与此同时，公司也将继续携手行业伙伴，共同推动半导体封装技术的创新与发展，在全球半导体市场上发挥更加重要的作用。
3.成都芯百特微电子有限公司盛大开业，加速高性能射频芯片产业化进程
5月18日，在四川天府新区天府海创园1号楼，成都芯百特微电子有限公司开业典礼仪式举行。上海交大天府科技园总经理周忻瑶、投资代表程露娇、深圳市赛矽电子有限公司总经理黄靖瑜、芯百特微电子（无锡）有限公司创始人张海涛等参加开业典礼仪式并致辞，祝贺成都芯百特微电子有限公司正式开业运营。
芯百特微电子（无锡）有限公司创始人张海涛博士发表致辞，他首先代表自己及芯百特公司全体同仁向莅临现场的各位领导、各位嘉宾表示衷心的感谢。他表示，成都子公司成立于2023年，隶属于芯百特微电子（无锡）有限公司，致力于高性能射频前端芯片的研发和产业化。成立以来，芯百特微电子（无锡）有限公司研发了近50款产品，其中近20款产品实现了量产，累计实现了近2亿元的营收。
凭借过硬的产品和优质的服务，芯百特及其子公司先后获得国家高新技术企业、专精特新中小企业、无锡市准独角兽企业、中国创新创业大赛国家优秀企业、中国半导体投资联盟最具投资价值奖和机构推荐奖、优秀创新产品奖（UWB FEM）等资质荣誉，并连续5年通过了国家ISO9001质量管理体系认证。2023年，芯百特营收也首次突破1亿元，取得和申请专利100多项，产品赢得了众多终端客户的认同，并得到极好的口碑。
剪彩仪式
天府海创园位于成都科学城片区核心区，占地面积约238亩，总建筑面积约70万平方米。该园区重点发展电子信息、智能装备、汽车零部件、新材料等主导产业。目前，园区已落成四大产业集群：以天府兴隆湖实验室、天府永兴实验室为代表的国家级实验室集群；以上海交大、北理工、西南科大、厦门大学为代表的校园地集群；以国网信通等数字经济企业为代表的人工智能集群；以知识产权运营中心、国际技术转移等高技术服务集群。
目前看来，成都集成电路产业链，已聚集集成电路企业370余家，形成了IC设计、晶圆制造、封装测试、装备材料等较为完整的产业体系。而集成电路产业也是四川天府新区重点发展方向之一。成都芯百特微电子有限公司的开业运营，将为当地电子信息产业发展积极贡献“芯”质生产力。同时，依托川渝经济圈优质产业及营商环境，在芯百特全体员工的共同努力下，芯百特在经营、管理、社会效益、经济效益等多方面也将取得更好的成绩。
揭幕仪式
在典礼活动最后环节，张海涛和投资人共同为成都芯百特微电子有限公司揭幕。随着成都芯百特微电子有限公司的开业，芯百特将在未来的发展中，继续推动技术创新，加强与产业链上下游的合作，积极拓展市场，提升品牌影响力，为四川乃至全国的集成电路产业做出更大的贡献。
4.高层震荡？五大晶圆代工厂10天内密集宣布人事任命
根据研究机构Counterpoint Research的数据显示，2023年第四季度全球晶圆代工行业收入环比增长约10%。尽管宏观经济不确定性挥之不去，但受智能手机和PC领域供应链库存补充需求的推动，该行业在2023年下半年开始触底，PC和智能手机应用程序都出现了紧急订单。
各大晶圆代工厂也在纷纷调整业务布局，以应对不断变化的市场需求。而作为关键业务引领者和决策者，高层管理人员将决定公司未来的发展和走向，地位举足轻重。5月中旬以来，晶圆代工大厂人事变动频传，其中包括英特尔、格芯、三星、力积电以及高塔半导体。是常规人事变动还是战略业务调整？或是另有隐情？
前负责人将退休 英特尔任命代工服务总经理
5月13日，英特尔宣布任命Kevin O’Buckley为英特尔公司高级副总裁兼代工服务总经理，O’Buckley将直接向英特尔CEO帕特·基辛格汇报。他将接替Stuart Pann，后者在公司新的运营模式下建立了英特尔的代工部门，已在英特尔任职35年，并将于5月底退休。
据悉，O’Buckley在半导体行业拥有超过25年的经验，近一份工作是担任Marvell Technology（美满科技）的定制芯片部门的高级副总裁。他还曾在格芯（GlobalFoundries）和国际商业机器（IBM）等公司担任领导职务。
基辛格表示：“Kevin曾在芯片代工厂和芯片设计企业担任高管和技术专家，积累了跨越半导体行业的、广泛的专业知识。英特尔正在首推面向AI时代的系统级代工，通过有韧性且可持续的供应链提供制程和封装技术，帮助客户实现其目标，在这一过程中，Kevin将发挥关键作用。”
英特尔表示，O’Buckley将负责推动英特尔代工业务的增长，并继续扩大其IP和EDA合作伙伴生态系统。O’Buckley将与英特尔代工的其他高管密切合作，实现首推面向AI时代的系统级代工的目标。
发力中国市场业务 格芯任命中国区主席
5月19日，格芯宣布，任命半导体行业和该公司资深人士洪启财（KC Ang）为亚洲区总裁兼中国区主席。洪启财拥有30多年的半导体代工行业经验，他将领导格芯整个亚洲地区新业务的开发以及战略伙伴关系，并将重点关注中国市场。
根据格芯介绍，洪启财于2010年加入格芯，曾担任该公司多个高级领导职位，包括最近担任负责格芯全球工厂的CEO，此前曾担任格芯新加坡业务负责人。他一直是新加坡半导体行业发展的关键人物，也是新加坡国家研究基金会的董事会成员、SEMI东南亚区域顾问委员会主席。
格芯首席业务官Niels Anderskouv表示：“在格芯，我们利用我们的全球足迹，为客户提供他们所需的安全、必要的芯片，并在他们所希望的地方生产。鉴于洪启财拥有30多年的经验，再加上他与亚洲一些最资深半导体行业领导者的长期关系，因此他将是推动整个亚洲客户与合作伙伴关系的理想领导者，尤其是加速格芯在中国市场的业务增长。”
HBM早期战略失误+代工份额下滑 三星任命存储老将为DS部门负责人
5月21日，三星宣布更换负责半导体业务的设备解决方案（DS）部门的负责人，任命全永铉（Jun Young Hyun）接替2021年年底上任的庆桂显（Kyung Kyehyun），他此前领导包括存储芯片、晶圆代工在内的半导体业务。
同三星电子设备解决方案部门此前的多位负责人都是存储芯片方面的老将一样，新任命的全永铉也在存储芯片领域工作多年。他于2000年进入三星电子，先后从事DRAM和闪存的研发及策略营销，在2014年成为了存储业务的负责人，2017年出任负责电池业务的三星SDI的CEO，在此次调整之前，他负责三星电子的未来业务部门。
三星称此次领导层变动是未雨绸缪，目的是在全球商业环境不确定的情况下加强公司的竞争力，此外未做详述。该公司员工称，此举出乎意料，因为三星的管理层调整通常在年底进行。
在芯片代工业务方面，尽管三星电子加大了投资力度，但该公司在全球芯片代工业务中的份额仍有所下降。早在2019年，三星就制定了到2030年向其芯片设计和代工业务投资约133万亿韩元（当时约合1160亿美元）的计划，以此来扩张三星强大的存储产品。此后，该公司又承诺追加投资。去年，前联席CEO庆桂显表示，三星的芯片代工业务将在五年内超越台积电。但三星在芯片代工业务领域的相对地位非但没有上升，反而有所下降，这表明客户预订量增长有限。
但有分析称，对庆桂显来说，最大的障碍在于高带宽存储器（HBM）。此前在3月份的一次股东大会上，庆桂显承认了三星的不足之处。在回答“三星HBM技术明显落后”的问题时，庆桂显承认三星在早期出现了失误。
按收入计算，三星电子是全球最大的存储器生产商，本应在HBM领域占据主导地位。与三星电子等竞争对手相比，SK海力士很早就积极押注HBM将成为突破性产品。业内分析师称，SK海力士和美光科技（Micron）都已开始在3月份向英伟达供应最新版HBM：HBM3E。目前还没有公开证据表明三星电子已经开始向英伟达供货。
与此同时，接替他的全永铉因其扭亏为盈的功绩，被当地媒体称为“后援投手”。他此前一直负责监督三星电子及其紧密关联公司的未来战略，在2017年全年担任三星的存储芯片业务领导职位时，当年该部门实现了历史性盈利，并终结了英特尔近四分之一个世纪以来作为全球收入最大半导体公司的历史。
力积电总经理谢再居辞职卸任
5月21日晚间，力积电公告，副执行长暨总经理谢再居辞职卸任，即日起生效，总经理一职将由执行副总朱宪国接任。
谢再居是力晶集团元老级人物，21日上午仍主持力积电股东常会，并对股东们说明运营展望，但晚间突然公告谢再居辞职的消息。力积电并未对谢再居辞职原因多做说明，仅表示总经理职务将由执行副总朱宪国接任，副执行长职务则暂时空缺。
据悉，谢再居是学者出身，早年赴美攻读学位，取得美国俄亥俄州辛辛那堤大学电机博士，后来在美国得州大学阿灵顿分校担任电机系教授，曾经主导该校与其他知名公司的合作计划，还因此获颁得州杰出年轻教授研究奖，随后加入力晶集团，是力晶集团创办人黄崇仁的得力助手。
而朱宪国自留学美国，取得宾州大学工业工程与管理硕士，回台后进入监控器厂美格公司工作将近3年，接着加入刚创立不久的DRAM厂力晶集团，参与技术移转日本三菱、尔必达，伴随力晶成长与运营起伏，可以说算是“老力晶人”。
力积电曾说，朱宪国虽不是半导体专业背景出身，但长期从实地操作中学习，参与力晶发展规划、设备布局、技术移转、产品与生产产能营运管理，已熟练生产与公司一切。
Tower任命秦磊为全球销售资深副总裁
5月22日，Tower Semiconductor（高塔半导体）宣布，秦磊先生已正式晋升为Tower Semiconductor全球销售高级副总裁，汇报给总裁Marco Racanelli博士。
Tower Semiconductor表示，此后，除了目前所担任的中国区负责人一职外，秦磊先生还将负责Tower Semiconductor在全球所有的销售团队。此前汇报给Marco Racanelli博士或Todd Mahlen的所有销售岗位，现在都将汇报给秦磊先生。
台积电董事长刘德音将于6月退休
此外，晶圆代工第一大厂台积电将于6月4日举办股东会，届时董事长刘德音将退休，近日传出台积电准备了欢送会。
台积电于2023年12月19日发布信息，指出董事长刘德音将于2024年股东会后退休，并由总裁魏哲家接任下一届董事长。台积电创始人张忠谋在2018年交棒给刘德音与魏哲家，双领导制度引发热议，张忠谋称刘德音作为董事长要领导董事会，也是公司最高代表，魏哲家则是在董事会指引下，于战略、战术、运营上经营领导公司。
有分析认为，台积电在美国建厂遇上挑战，刘德音退休是台积电对美国政府的“抗议”。
5.欲成AI PC的王，微软有“龙”才灵光
年中时点，AI PC爆燃。由此引发的话题和热潮，可能会贯穿整个下半年。
一周前，OpenAI发布免费新品GPT-4o。昨日，微软在年度开发者大会前期，推出引入Copilot功能（支持GPT-4o）的AI PC新品——Surface Pro和Surface Laptop，微软将其统称为“Copilot+PC”。同期，宏碁、华硕、戴尔、惠普、联想和三星等全球领先OEM厂商也官宣了即将上市的AI PC新品。
值得关注的是，在首批上市的“Copilot+PC”中，均搭载了高通骁龙X系列平台产品——骁龙X Elite和骁龙X Plus芯片。
多年来，微软一直努力希望打开移动PC市场，但成效并不明显，移动PC也一直在苹果面前黯然失色。AI PC时代的到来，让微软迎来绝佳机遇期，而高通在芯片层面强有力的支持，也成为Windows PC在AI时代抗衡苹果添加重要砝码。
骁龙X Elite“重塑PC性能”
早在2016年，高通就宣布与微软展开合作，使得骁龙计算平台能够支持Windows 10 PC。2019年，Surface Pro X，采用的Microsoft SQ1是高通与微软基于骁龙计算平台联合开发的处理器。此后，双方一直在Windows PC领域积极携手，共同推动Windows on Arm生态的建设。
采用Arm架构PC的优势在于超低功耗下的性能表现，同时能够使移动PC的外观设计更加小巧，较长的续航时间也能够契合对于办公，轻娱乐等场景需求。
得益于强大的自研Arm架构处理器加持，苹果Mac系列大获成功。而近年来高通在移动PC处理器性能上的显著进步，正在让Windows阵营看到在移动PC端挑战苹果的希望。
自2021年14亿美元收购Nuvia后，高通进一步打造其在自研CPU上的能力。而其创新成果首个实施的业务领域便是PC。
在去年10月举行的骁龙峰会上，高通发布骁龙X Elite平台，为AI PC领域推出一款重磅产品。骁龙X Elite平台采用定制的集成高通Oryon CPU，在与竞品的对比中，骁龙X Elite体现出强大的竞争优势。同旗舰ARM架构CPU相比，骁龙X Elite的Oryon CPU单线程能力超过苹果的M2 Max，实现相同性能下能耗少30%，在多线程峰值性能也超过M2 50%；同X86架构旗舰CPU相比，单线程跑分超过i9-13980HX，并在实现同等性能情况下,能耗降低70%。
上个月，高通宣布骁龙X系列家族新成员，面向全新层级的骁龙X Plus，同样采用高通自研Oryon CPU，以及45TOPS NPU，其CPU性能也领先苹果的M3，与x86架构竞品对比其功耗和性能表现也具有显著优势。
在微软开发者大会上展示的基于高通骁龙X系列的全新Copilot+ PC，本地视频播放续航时间比苹果MacBook Air延长20%，峰值性能提高23%，持续多线程性能提高58%。Adobe Photoshop等应用软件在微软Surface笔记本电脑上运行时，在多个任务执行表现，均击败了配备M3芯片的苹果MacBook Air。
AI PC的重要能力是对于AI应用的支持。此次微软开发者大会上，也展示了包括“回顾（Recall）”、实时字幕、实时游戏指引等。其背后，高通骁龙X系列提供的强大算力起到了重要的支撑作用。
按照微软对于AI PC的定义，平台NPU算力达到40TOPS左右才能够实现对于当前主流的AI应用实现较好的支持。当前，无论是英特尔还是AMD最新发布的AI PC芯片NPU算力均未及40TOPS。而骁龙X系列仅内置NPU单元的算力便达到45TOPS，整体平台算力超70TOPS，支持终端侧运行超过130亿参数的生成式AI模型，可以说是相当炸裂的存在，也为其赋能的AI PC带来更多差异化的体验奠定了基础。
这也是为什么去年骁龙峰会上，高通高级副总裁兼手机、计算和XR业务总经理阿力克斯·卡图赞（Alex Katouzian）在接受集微网采访时称对骁龙X Elite充满信心，将为PC重塑性能。
生态建设提速
2024年作为AI PC元年，产业发展速度和带来的变革超乎很多人的想象。根据Canalys的预测，2024年AI PC渗透率约19%，到2027年渗透率将超60%。
AI PC或Windows on Arm能够实现广泛的落地和规模普及，需要对于应用部署的支持以及建立完善的生态。此次微软开发者大会上，微软还宣布，达芬奇调色软件、CapCut、Cephable、QuiidText等热门生产力应用也将在Copilot+PC支持更多AI新特性。此外，微软也联合Adobe等软件巨头，将AI体验融入到应用程序中，未来Adobe 系列旗舰级应用将登陆 Windows 11 AI PC。
在生态建设，多年来，高通一直在强化同微软等公司的合作，对众多应用进行优化。同时，通过CPU、GPU和NPU在算力上的协同，通过硬件加速生成式模型的使用速度，为用户带来更好的大模型使用体验。
同时，高通还通过同包括中国在内的全球模型供应商开展合作，并结合高通在AI方面深耕多年积累的创新能力，通过行业领先的量化技术，确保能够在保持性能和准确性的基础上，将大模型装进PC端。目前高通已经支持Meta Llama 3等在骁龙终端上运行。
为了更好的服务开发者，在此次微软开发者大会上，高通宣布与微软进一步合作，宣布推出面向Windows的骁龙开发套件——一款搭载骁龙X Elite的小型PC，旨在支持开发者面向下一代AI PC创建或优化应用程序和体验。
据高通方面介绍，利用原生Windows on Snapdragon工具链，包括Visual Studio/VSCode和其他runtime、库和框架，骁龙开发套件使开发者能够快速将Windows应用程序适配并重新编译为原生适用于骁龙平台的版本，从而为PC消费者打造出色体验。面向Windows的骁龙开发套件配备了骁龙X Elite处理器的特别加速开发者版，以及一系列端口和外形设计，旨在兼容开发者的多显示器系统。
此外，为加速生成式AI应用加快在PC端的部署，高通还宣布AI Hub扩展支持骁龙X系列平台，开发者目前不仅可以使用持续增长的预优化AI模型库，还可以将自主AI模型引入高通AI Hub并进行无缝优化，直接在终端上运行，开发者利用几行代码，即可在五分钟内在云托管终端上轻松测试并验证模型。通过简化模型优化和验证流程，增加灵活性和定制化，加快开发周期。
相信随着宏碁、华硕、戴尔、惠普、联想、微软Surface和三星等全球领先PC OEM厂商陆续推出搭载骁龙X系列平台的PC，以及更多开发者，ISV厂商加入到AI PC的生态之中，都将进一步助推Windows on Arm和AI PC的发展，消费者和行业也将从中受益。
微软在活动期间也表示，预计明年AI PC的出货量将达 5000 万台，并表示能够直接在PC上运行AI助手将成为人们升级自己个人电脑“最有说服力的理由”。
6.机构：下半年中国台湾晶圆厂产能利用率优于预期，最高达90%
研究机构TrendForce 5月22日报告表示，美国5月宣布对中国大陆进口产品加征关税，其中对中国大陆制造的半导体产品征收高达50%关税，此举将加速供应链出现转单潮，利好中国台湾晶圆代工厂。
以今年下半年情况来看，世界先进产能利用率预计将提升至75%以上；力积电将达85%~90%；联电整体产能利用率将在70%~75%之间。
机构表示，全球晶圆代工市场自2022年下半年进入下行周期，疫情导致的高库存迫使供应链花费逾一年进行修正。此后由于地缘政治、疫情等导致的转单潮，也随着产业下行放缓。随着消费电子产品库存调整进入尾声，智能手表、电视及液晶显示器所采用的TDDI、大尺寸DDI、PC MOSFET、消费型MCU等，先后于2023年第四季度起至2024年第二季度，陆续出现零部件回补订单，中国大陆、中国台湾多家晶圆厂均获急单。
因此，TrendForce此前预估晶圆代工厂产能利用率将在2024年第一季度落底，此后陆续回升。
然而在美国近期宣布加征关税之际，供应链发生变化。例如，高通自2021年开始与世界先进洽谈合作计划，今年生产规划开始转向积极，促使世界先进提前将Fab5新厂第一阶段产能在2024年第三季度扩充完毕，同时计划将高通的PMIC完成跨厂验证以满足其需求。而MPS公司自2022年则已启动转单，世界先进、力积电均在计划内。
除此之外，转单潮亦包括Cypress（赛普拉斯）、兆易创新向力积电洽谈NOR Flash投产计划；瑞鼎科技、豪威皆因客户要求，陆续规划将PC DDI、CIS交由世界先进和力积电制造；联电近期也获得了英飞凌的新增订单。
整体而言，美国政府虽宣布将对中国大陆提高关税，但针对半导体项目的实施细节尚不明确。TrendForce认为，现阶段所观察到的转单加速现象，仅为先前已指定台厂，但由于受市场状况进度延后的项目，这次美国关税政策是否会进一步影响全球晶圆代工格局，仍有待观察。
7.英伟达Q1营收及Q2预测均超预期 公布股票分割计划
日前，英伟达公布了第一季度财报及第二季度营收预测。财报显示，英伟达第一季度营收同比飙升262%至260.4亿美元，超过预期的246.5亿美元；其中数据中心营收为226亿美元，同比增长427%；利润飙升628%至148.8亿美元。
英伟达同时预期，第二季度的营收为280亿美元（上下浮动2%），根据LSEG数据，分析师平均预期营收为266.6亿美元；调整后的毛利率预期为75.5%（上下浮动0.5%），分析师平均预测第二季度毛利率为75.8%。
在与分析师的电话会议上，CEO黄仁勋表示，英伟达即将推出的Blackwell AI芯片将在本季度发货，下个季度产量将增加，“伴随着下一代Blackwell架构芯片的上市，公司正准备迎接‘下一波的增长’。”
英伟达首席财务官（CFO） Colette Kress称，Q1数据中心业务的增长源自于Hopper架构GPU（例如H100）出货量的增加。Colette Kress还表示，Blackwell芯片的需求可能会超过供应，“直到明年”。
Edward Jones分析师Logan Purk表示：“市场对英伟达的GPU芯片的需求仍然十分旺盛。这些结果可能足以满足投资者的胃口，并让市场确信人工智能投资尚未出现放缓。”
公布财报之外，英伟达也宣布了拆股计划——1拆10，6月7日收市后持有英伟达普通股的股东将收到额外9股，6月10日将以拆分调整后的基础开始交易。英伟达还表示，将在分割后的基础上将季度股息提高150%，达到每股1美分。
这推动其股价创下历史新高。英伟达股价在盘后交易中上涨5.9%至1005美元，首次突破1000美元的重要关口。英伟达的股价今年迄今已上涨超90%。
