据businesskorea报道，SK海力士宣布第五代高带宽存储（HBM）—HBM3E的良率已接近80%。
SK海力士生产主管Kwon Jae-soon表示：“我们已经成功地将HBM3E芯片量产所需的时间缩短50%，达到大约80%范围的目标良率。”
这标志着SK海力士首次公开披露HBM3E的生产信息。此前，业界预计SK海力士的HBM3E良率在60%~70%之间。
Kwon Jae-soon强调：“我们今年的目标是专注于生产8层HBM3E。在人工智能（AI）时代，提高产量对于保持领先地位变得更加重要。”
制造HBM需要垂直堆叠多个DRAM，与标准DRAM相比，工艺复杂性更高。特别是HBM3E的关键部件硅通孔（TSV）的良率一直较低，在40%~60%之间，使其改进成为重大挑战。
继向AI半导体领导者英伟达近乎独家供应HBM3后，SK海力士于今年3月份开始供应8层HBM3E产品，并计划在今年第三季度供应12层HBM3E产品。12层HBM4（第六代HBM）产品计划于2025年推出，16层版本预计将于2026年投入生产。
快速增长的人工智能市场推动SK海力士下一代DRAM的快速开发。到2023年，主要用于人工智能应用的HBM和大容量DRAM模块按价值计算将占整个存储市场的5%左右。SK海力士预测，到2028年，这些AI存储产品将占据61%的市场份额。
（校对/刘昕炜）
