联电与英特尔重点合作12nm FinFET制程,2026年完成

来源:科技新报 #联电#
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晶圆代工大厂联电召开年度股东会,共同总经理简山杰表示,与英特尔合作开发12nm制程平台将是联电未来技术发展的关键点,2026年开发完成,2027年量产。

今年1月联电与英特尔宣布双方将合作开发12nm FinFET制程平台,以应对移动、通信基础建设和网络等市场的快速成长。这项长期合作结合英特尔位于美国的大规模制造产能,和联电丰富的成熟制程晶圆代工经验,扩充制程组合,同时提供更佳的区域多元且具韧性的供应链,协助全球客户做出更好采购决策。

联电共同总经理王石表示,联电与英特尔在美国合作12nm FinFET制程,是联电追求具成本效益的产能扩张,和技术节点升级策略的重要一环,此举并延续联电对客户的一贯承诺。这项合作将协助客户顺利升级到此关键技术节点,同时受惠于扩展位于北美市场产能带来的供应链韧性。联电期待与英特尔展开策略合作,利用双方的互补优势,以扩大潜在市场,同时大幅加快技术发展时程。

股东会时简山杰也指出,联电开积极开发12nm FinFET制程平台相对前代14nm FinFET性能大幅提升,芯片尺寸也更小,功耗降低,充分发挥FinFET性能、功耗、闸密度的优势,广泛用于各种半导体产品。联电12nm FinFET制程平台2026年开发完成,2027年量产。

责编: 爱集微
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