联电与英特尔重点合作12nm FinFET制程，2026年完成

晶圆代工大厂联电召开年度股东会，共同总经理简山杰表示，与英特尔合作开发12nm制程平台将是联电未来技术发展的关键点，2026年开发完成，2027年量产。

今年1月联电与英特尔宣布双方将合作开发12nm FinFET制程平台，以应对移动、通信基础建设和网络等市场的快速成长。这项长期合作结合英特尔位于美国的大规模制造产能，和联电丰富的成熟制程晶圆代工经验，扩充制程组合，同时提供更佳的区域多元且具韧性的供应链，协助全球客户做出更好采购决策。

联电共同总经理王石表示，联电与英特尔在美国合作12nm FinFET制程，是联电追求具成本效益的产能扩张，和技术节点升级策略的重要一环，此举并延续联电对客户的一贯承诺。这项合作将协助客户顺利升级到此关键技术节点，同时受惠于扩展位于北美市场产能带来的供应链韧性。联电期待与英特尔展开策略合作，利用双方的互补优势，以扩大潜在市场，同时大幅加快技术发展时程。

股东会时简山杰也指出，联电开积极开发12nm FinFET制程平台相对前代14nm FinFET性能大幅提升，芯片尺寸也更小，功耗降低，充分发挥FinFET性能、功耗、闸密度的优势，广泛用于各种半导体产品。联电12nm FinFET制程平台2026年开发完成，2027年量产。