【专利】芯原蓝牙发射机校准方法专利公布；华虹宏力超结-沟槽栅MOSFET器件专利公布；捷捷微电半导体器件的终端结构专利获授权

1.芯原 “一种蓝牙发射机的校准方法、系统、设备及介质”专利公布

2.华虹宏力“超结-沟槽栅MOSFET器件及其制备方法”专利公布

3.捷捷微电“一种半导体器件的终端结构及其制造方法”专利获授权

1.芯原 “一种蓝牙发射机的校准方法、系统、设备及介质”专利公布

天眼查显示，芯原微电子（上海）股份有限公司“一种蓝牙发射机的校准方法、系统、设备及介质”专利公布，申请公布日为2024年7月2日，申请公布号为CN118282535A。 

本发明提供了一种蓝牙发射机的校准方法、系统、设备及介质，所述方法包括：获取蓝牙发射机发射的模拟信号；确定两组补偿参数的初始值，针对每组补偿参数，从每组补偿参数的初始值开始，先后采用粗搜索步长和细搜索步长对每组补偿参数进行迭代更新，根据更新后的补偿参数计算模拟信号的目标功率；重复上述过程，直到目标功率满足预设标准，得到两组补偿参数的最优值；将所述两组补偿参数的最优值发送至所述蓝牙发射机的补偿电路，以使所述补偿电路根据所述两组补偿参数的最优值对蓝牙发射机进行IQ不平衡和本振泄露的补偿。该方法用以粗搜索和精搜索结合的方式将IQ不平衡和本振泄露的参数进行联合估计，以提升蓝牙发射机的校准效率。

2.华虹宏力“超结-沟槽栅MOSFET器件及其制备方法”专利公布

天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“超结-沟槽栅MOSFET器件及其制备方法”专利公布，申请公布日为2024年7月2日，申请公布号为CN118280842A。

本申请提供一种超结沟槽栅MOSFET器件及其制备方法，其中制备方法中，以硬掩膜层为掩膜，在深沟槽表面形成牺牲氧化层，接着利用牺牲氧化层作为注入衬垫层，通过至少两次高能注入在深沟槽底部的外延层中形成与深沟槽底壁保持一定间距的埋入型离子注入区，然后采用倾斜注入在深沟槽和埋入型离子注入区之间形成引出注入区以引出埋入型离子注入区，本申请由于深沟槽的存在，使得在同等注入能量下，本申请从深沟槽底壁注入的埋入型离子注入区嵌入到漂移区内的深度大于传统的直接从深沟槽之间的外延层表面注入的离子注入区的深度，可以使埋入型离子注入区更靠近衬底，充分利用埋入型离子注入区作为耗尽漂移区，改善了MOSFET器件的电性能。

3.捷捷微电“一种半导体器件的终端结构及其制造方法”专利获授权

天眼查显示，江苏捷捷微电子股份有限公司近日取得一项名为“一种半导体器件的终端结构及其制造方法”的专利，授权公告号为CN109346512B，授权公告日为2024年7月2日，申请日为2018年11月15日。 

本发明涉及一种半导体器件的终端结构及其制造方法，在终端保护区，第一导电类型漂移区内设有若干个环间距相同的场限环，且从有源区指向终端区的方向上，第一个场限环和最后一个场限环为连续场限环，连续场限环间设置有若干个间隔场限环，间隔场限环由若干个间隔分布的场限环注入区包围呈环形，且若干个间隔场限环、间隔场限环与连续场限环均连成一片，形成以场限环注入区为中心的浓度渐变梯度；本发明器件制造方法与现有半导体工艺兼容，不仅能提高器件的耐压能力，且能减小终端的宽度，增大有源区的面积，进而降低器件导通电阻。