韩国科学技术院与三星电子合作开发 BCDMOS 芯片

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韩国科学技术院(KAIST)表示,这所国立研究型大学将于本周二与三星电子公司就 130 纳米双极 CMOS DMOS(BCDMOS)技术签署合作协议。

自 2021 年以来,三星电子一直与 KAIST 的研究机构 IC 设计教育中心 (IDEC) 合作,为学生提供 28 纳米逻辑工艺芯片的制造机会,同时培养半导体设计人才。

BCDMOS 技术在单个芯片上集成了模拟电路、逻辑电路和高压器件,非常适合需要高压和高速运行的电源管理应用。KAIST 和三星电子将于 2024 年下半年采用 BCDMOS 8 英寸工艺,为 13 所大学主修半导体设计和工程的硕士生和博士生提供获得芯片制造经验的机会。

责编: 李梅
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