三星电子在开发对人工智能（AI）市场至关重要的存储芯片方面遭遇一系列挫折后，开始在缩小与竞争对手SK海力士的差距方面取得进展。
知情人士透露，三星已获得英伟达对其高带宽存储器（HBM）芯片HBM3期待已久的批准，并预计下一代HBM3E将在2~4个月内获得批准。三星在7月31日的第二季度财报会议上表示，第五代8层HBM3E产品目前正接受客户评估，计划今年第三季度实现量产。
这些进步是在数月的跌跌撞撞之后取得的，其中包括开发失误的问题，这让SK海力士在该快速增长的领域一跃成为领先者，该公司的HBM3E已搭载于英伟达H200芯片。今年4月份，SK海力士宣布携手台积电进行HBM4的研发与推进，且该公司第七代HBM4E力争提前一年将在2026年量产。
策略失误 三星面临HBM技术落后及创新放缓
有评论称，作为韩国最大的公司，三星在存储领域苦苦追赶，这很不寻常，也令人感到惭愧。从历史上看，三星凭借其规模和工程专业知识，在存储芯片市场处于领先地位。
三星的失误发生在该公司一个不寻常时期。三星执行董事长李在镕多年来一直在与检察官就贿赂和腐败指控进行斗争。与此同时，在OpenAI 2022年底推出ChatGPT引发市场对用于训练AI模型的英伟达芯片的狂热需求之前，HBM一直处于不温不火的状态，三星高层领导也并未将HBM视为优先事项。
SK海力士已做好迎接挑战的准备，而三星则在应对新芯片的复杂工程问题时举步维艰。HBM由一组堆叠在一起的DRAM芯片组成，最新一代芯片堆叠层数达到8层。每一层DRAM芯片都会产生大量热量，然后它们与英伟达的图形处理单元（GPU）一起封装，这些GPU本身的温度就可达到100摄氏度。如果没有适当的散热和冷却材料，整个堆栈都有熔化的风险。
行业分析师杰克·西尔弗曼（Jake Silverman）表示：“随着层数的增加，实现合理产量的挑战变得更加困难。问题在于DRAM是堆叠的，所以运行时会发热。它离GPU非常近，而GPU运行时发热甚至更多。”
据一位知情人士透露，三星在解决所谓的热耦合问题方面遇到了麻烦。
除了面临存储芯片技术落后的风险，三星还面临创新速度落后的风险。
三星采用一种名为热压缩基的非导电膜（TC-NCF）的热管理技术来隔离DRAM的每一层，而SK海力士率先采用了一种替代方法来提高散热和生产良率。
然而，三星选择继续使用TC-NCF并加以改进，而不是考虑其他方法。该公司发言人表示，TC-NCF是“经过充分验证的技术”，并将在未来产品中使用。
任命新负责人并探索技术创新 三星奋起直追
Tirias Research分析师Jim McGregor表示：“我们从未见过三星处于这种境地。行业和英伟达比任何人都更需要三星，但他们需要三星全力以赴。”
由于三星在HBM领域举步维艰，它于5月采取了极不寻常的举措，更换了半导体部门的负责人。
5月21日，三星宣布更换负责半导体业务的设备解决方案（DS）部门的负责人，任命全永铉（Jun Young Hyun）接替2021年底上任的庆桂显（Kyung Kyehyun），他此前领导包括存储芯片、晶圆代工在内的半导体业务。
在3月份的一次股东大会上，庆桂显在回答“三星HBM技术明显落后”的问题时，承认三星在早期出现了失误。
全永铉于2000年加入三星，帮助开发了DRAM和闪存芯片，他在DS部门的上任便承受了寻找HBM技术解决方案的压力。全永铉召开了一系列会议，探讨技术细节并找出问题的根本原因。据一位知情人士透露，在一次持续数小时的会议上，他哀叹HBM可能是更广泛问题的一部分。
为了促进合作，全永铉重组了HBM团队，并任命了一位新负责人。
知情人士称，最终，三星修改了HBM设计，以解决发热和功耗问题。这促使英伟达批准使用该公司生产的HBM3。
在全永铉的领导下，三星正在取得进展。它开发了自己的12层HBM3E技术，并正在努力获得英伟达对该芯片以及8层HBM3E的批准。三星电子副总裁金在俊（Kim Jae-joon）称，最新的12层HBM3E产品也将在今年下半年上市。另外三星表示，第六代HBM4计划在明年上半年开始生产。
三星表示，全永铉自上任以来，一直将公司集体讨论和坚持解决问题的文化放在首位。该公司还表示，“我们的HBM产品没有出现过与发热和功耗相关的问题”，也没有针对特定客户做出“设计变更”。
HBM销售额增长50%以上 半导体业务渐入佳境
得益于全球计算市场的复苏以及中美等地区在人工智能领域的大量投资，三星电子7月31日公布的数据显示，6月份季度的净利润增长了六倍，达到9.64万亿韩元（约合69.6亿美元），超出分析师平均预期的7.97万亿韩元。与此同时，公司营业利润达10.44万亿韩元，增速更是高达1458%，展现出惊人的增长势头。
此外，三星的核心半导体部门公布的营业利润达6.45万亿韩元超出预期，销售额达28.56万亿韩元。与去年同期相比，销售额增长94%，营业利润增长10.81%。这是自2022年第二季度（9.98万亿韩元）以来8个季度的最高营业利润。这主要得益于存储价格的上涨和HBM芯片的强劲需求。
三星半导体部门利润变化
金在俊在7月31日的财报电话会议上表示：“由于对生成式AI的强劲需求，第二季度存储市场继续保持强劲，HBM的销售额同比增长50%以上。”
分析师Masahiro Wakasugi指出，三星宣布的第二季度利润强劲反弹可能会因为存储芯片的需求而持续到第三季度。该公司第二季度的营业利润比市场普遍预期高出25%，这意味着DRAM和NAND的平均售价可能上涨，与美光公司持平。由于下半年存储芯片需求可能会有季节性增长，三星的利润有望进一步上升。
2025年抢占10%市场 三星HBM未来可期
三星的最新成就很可能使该公司能够利用对人工智能产品的旺盛需求。摩根士丹利（Morgan Stanley）表示，HBM市场规模预计将从去年的40亿美元增至2027年的710亿美元。三星越快获得英伟达的支持，它就能从这一市场增长中获得越多的收入。
HBM市场增长预测
摩根士丹利分析师Shawn Kim和Duan Liu在本月的一份研究报告中写道：“投资者对三星的看法可能很快就会改变。情况正在迅速好转。”
两位分析师在报告中将三星列为首选股，他们认为三星到2025年至少能抢占10%的HBM市场份额，增加约40亿美元的收入。尽管三星在该领域仍落后于SK海力士，但这一进展可能会改变投资者的看法并提振股价。
SK海力士股价获投资者关注
根据三星季度报告的详细信息，三星自去年下半年开始生产HBM3芯片。消息称，三星已开始向英伟达供应HBM3，用于其H20芯片，这是一款为中国市场定制的产品。
虽然美光今年早些时候也宣布，英伟达已批准其HBM3E芯片用于该公司的AI芯片，但行业研究人士Silverman表示：“美光和SK海力士目前还没有足够的产能来支撑整个市场。”他补充说，英伟达CEO黄仁勋“希望鼓励他们”，因为他需要更多的供应。
消息称，三星的一大优势是其财力和产能。一旦符合英伟达的审核标准，三星便可以迅速提高产量，解决阻碍英伟达和其他人工智能倡导者发展的短缺问题。
除了英伟达，三星的救命稻草或许在于人工智能的大部分增长还在未来。微软、谷歌母公司Alphabet、亚马逊、苹果和Meta等科技公司都在投入巨资来开发自己的AI芯片技术，这些公司预计将在今年大部分时间继续使用HBM3。
至于HBM3E，英伟达将SK海力士芯片与自己的H200搭配使用，该技术今年首次进入市场。Sanford C. Bernstein分析师在7月份的一份报告中表示，到2025年，英伟达将继续在其几乎所有产品中使用HBM3E，而芯片竞争对手会在2026年继续使用它。
“三星落后了，但HBM3E的机会仍将为三星敞开，”以Mark Li为首的分析师写道。
三星电子表示，将加大HBM3E的产量，预计公司最先进的HBM3E芯片占总HBM的销售额比例将从第二季度略高于10%增长到今年第四季度的60%。整体来看，三星预计今年下半年HBM的销量将比上半年增长3.5倍，并计划在2025年将HBM的供应量翻一番。
摩根士丹利分析师写道：“到2027年，这将是一个710亿美元的营收机会，并且还在增长。对三星来说，关键的争论在于它能否成为英伟达强大的第二供应源。”（校对/孙乐）
