天眼查显示，杭州士兰微电子股份有限公司近日取得一项名为“双向功率器件及其制造方法”的专利，授权公告号为CN110310982B，授权公告日为2024年8月16日，申请日为2019年7月22日。 
公开了一种双向功率器件及其制造方法，双向功率器件包括半导体层；位于半导体层中的沟槽；位于所述沟槽侧壁上的栅介质层；位于所述沟槽下部的控制栅；位于所述沟槽上部的分压介质层；其中，所述控制栅与所述半导体层之间由所述栅介质层隔开。本申请通过在控制栅上方形成分压介质层，从而使控制栅远离源区和漏区，在双向功率器件截止时，该分压介质层承担了纵向方向上源区和漏区施加的高压，提高双向功率器件的耐压特性。
