龙腾半导体 “一种超结高压器件结构及制造方法”专利获授权

天眼查显示，龙腾半导体股份有限公司近日取得一项名为“一种超结高压器件结构及制造方法”的专利，授权公告号为CN114464534B，授权公告日为2024年8月16日，申请日为2021年12月30日。

本发明公开了一种超结高压器件结构及制造方法，属于半导体分立器件技术领域，解决了现有技术中超结MOSFET器件雪崩击穿时寄生BJT引起的二次击穿效应的问题。本发明具体技术方案为，通过在超结高压器件的trench Gate之间增加了并联的二极管结构，且此二极管结构采用了逆向的浓度掺杂分布，形成两个间隔的P+区以弱化轻掺杂P型区的电场。本发明改善了超结MOSFET二极管导通状态下的注入效率，减少了少子注入，反向回复时间和反向回复电荷都得到有效降低；一定程度上避免了寄生NPN结构的开启导致的雪崩耐量降低，提高了抗浪涌能力。