【议程】第十二届半导体设备年会30+论坛 200+演讲嘉宾 1000+展商亮相；

作者：爱集微 09-12 07:32

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来源：爱集微 #IC#

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1.北大电子学院郭弘教授团队在量子磁传感领域取得重要进展；

2.西安交大科研人员在构筑高性能气体传感器领域取得新进展；

3.议程发布！第十二届半导体设备年会30+论坛 200+演讲嘉宾 1000+展商亮相；

1.北大电子学院郭弘教授团队在量子磁传感领域取得重要进展；

磁场探测是量子传感领域的关键技术，具有广泛的应用潜力和重要的战略价值。在工业领域，磁场测量可实现基于电磁感应的无损探伤，在不影响检测对象的前提下，对材料、零件、设备中的缺陷进行定位和定量检测，避免隐藏缺陷可能会构成重大的安全风险，保障工业生产的安全。在生物医疗领域，磁场探测可用于核磁共振信号的检测，提升核磁共振成像的分辨率和检测精度，为医学影像技术的进步提供新的途径。此外，在国防安全领域，磁场探测技术能够用于水下磁通信，大幅延长通信距离，提升隐蔽通信能力，基于磁场探测的核四极矩共振技术还可精准检测爆炸物、毒品等违禁物品，增强我国的安防和反恐能力。

传统的磁感应线圈式磁传感器在低频时受限于电磁感应定律，感应信号减小导致灵敏度降低。而原子磁传感器则不受限于电磁感应定律，在低频处能够突破磁感应线圈的热噪声极限，实现更高的灵敏度，同时其还具备小型化和可室温工作等优势。然而，射频原子磁传感器通常采用的磁共振方案需要施加偏置磁场以产生磁共振信号，这会导致原子自旋间的自旋交换碰撞弛豫成为限制射频原子磁传感器灵敏度进一步提升的主要难题。

近日，北京大学电子学院郭弘教授团队提出了一种基于参数共振的新型射频原子磁传感器。该方案通过利用脉冲磁场对原子自旋进行调制产生参数共振现象，能够实现高灵敏度的射频磁场测量（如图1所示）。与传统的磁共振方案相比，参数共振方案无需施加额外的偏置磁场以产生与待测射频场共振的拉莫进动频率信号，从而避免了磁共振方案中由偏置磁场引起的自旋交换碰撞弛豫问题，解决了射频原子磁传感器中信号线宽展宽的问题。在相同的实验装置下，参数共振方案实现了一个数量级以上的磁传感器灵敏度的提升，在小型铷87原子中实现了噪声水平低至2 fT/Hz1/2的高灵敏度射频原子磁传感器（如图2所示）。这一研究成果为射频原子磁传感器的高灵敏度测量提供了新的技术途径，为磁场探测技术在工业检测、医疗成像和国防安全等领域提供了更为广阔的应用前景。

相关研究成果以“Radio-Frequency Magnetometry Based on Parametric Resonances”为题，于2024年8月27日以封面文章的形式在线发表于《物理评论快报》(Physical Review Letters，第133卷，文章号093201)。北京大学电子院博雅博士后肖伟为论文第一作者，北京大学电子学院郭弘教授与吴腾研究员、助理教授为论文共同通讯作者，其他论文作者包括北京大学电子学院彭翔长聘副教授，以及电子学院2021级博士研究生刘曦屿。该项工作得到国家自然科学基金、国家重点研发计划（H863计划）等项目支持。

文章链接：https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.133.093201

2.西安交大科研人员在构筑高性能气体传感器领域取得新进展；

传感器技术被称为现代信息技术三大支柱之一，气体传感器作为其中重要一环，在工业气体泄露检测、新型医疗诊断、智能家居、现代农业和爆炸物检测等领域有着广阔的应用前景。设计和创制兼具高灵敏度、高选择性和高稳定性的气敏材料是制备高性能气体传感器的关键。导电金属有机框架（c-MOFs）作为一类新型的导电晶体多孔材料，具有高比表面积、可调的拓扑结构、孔径大小、形状、主客体相互作用、可调带隙和电荷传输等特性，使其在气体传感器等领域具有巨大的应用潜力。

由传统的热溶剂合成策略制备的微晶c-MOF粉末具有拓展的拓扑网络结构和结晶度，但固有缺乏溶液可加工性，使得制备大面积、高质量、取向导电MOF薄膜变得困难，限制了其与微纳器件的集成与结合，表现出受限的载流子和质量传输特性等，因而进一步限制了MOF基高性能微纳传感器的批量化制备与应用。如何从“自下而上”构筑对特定气体具有特异性识别功能的高灵敏c-MOF体系并实现高质量、取向、大面积导电MOF薄膜的可控制备仍面临挑战。

针对这一问题，西安交通大学材料科学与工程学院张明明/袁泓晔团队以典型的Ni3(HITP)2（HITP = 2，3，6，7，10，11-己氨基三苯）和二维Zr-BTB MOF (NUS-8)作为研究对象，借助模板辅助生长策略，利用NUS-8的二维特性、溶液可加工性和Ni3(HITP)2的导电性，以及NUS-8和Ni3(HITP)2之间良好的晶格匹配效应，构筑了具有高导电性、优异的溶液可加工特性和高孔隙率的MOF-on-MOF结构（Ni3(HITP)2/NUS-8），并将其应用于超痕量H2S室温检测及柔性传感等领域。

研究结果表明，Ni3(HITP)2在NUS-8纳米片的受控外延生长遵循S-K的生长模式；通过控制生长的动力学，得到了分散性优异且具有较高稳定性的Ni3(HITP)2/NUS-8悬浮液的制备，实现了具有可变厚度、取向和大面积Ni3(HITP)2/NUS-8膜及复杂图案的可控制备，并应用于柔性传感。

最后，基于Ni3(HITP)2/NUS-8的气体传感器在室温下对超痕量H2S表现出优异的灵敏度（检测极限约为6 ppb）、选择性和稳定性。该工作可能为MOF薄膜及兼具高灵敏度和高选择性MOF基气体传感器的批量化制备提供新的思路。

该工作以《基于模板辅助生长策略构筑溶液可加工性MOF-on-MOF体系用于超痕量H2S检测》“Solution-Processable MOF-on-MOF System Constructed via Template-Assisted Growth for Ultratrace H2S Detection”为题发表在国际著名学术期刊《德国应用化学》（Angewandte Chemie International Edition）。西安交通大学材料科学与工程学院博士生吴炫昊为论文第一作者，袁泓晔特聘研究员和武汉大学肖淞副教授为论文共同通讯作者，论文合作成员包括团队负责人张明明教授、山东大学陶继方教授等。金属材料强度国家重点实验室和西安交通大学材料科学与工程学院为该工作第一作者及通讯作者单位。该工作得到了国家自然科学基金、高层次留学人才回国资助计划、陕西省高层次青年人才引进计划以及西安交通大学青年拔尖人才支持计划的共同资助。论文中的表征及测试得到了材料创新设计中心王疆靖教授和聂超博士以及西安交通大学分析测试共享中心的支持。

3.议程发布！第十二届半导体设备年会30+论坛 200+演讲嘉宾 1000+展商亮相；

第12届中国电子专用设备工业协会半导体设备年会、第12届半导体设备与核心部件展示会将于9月25日-27日在无锡太湖国际博览中心举行。

大会将开展包括展览展示、主旨论坛、专题论坛、圆桌对话、产业上下游对接会、新品发布等活动。30+场论坛、200+位演讲嘉宾、1000+展商、预计8w+观众人次。五大展区、六馆联动，展会面积6万平方米。

同期将举办2024集成电路(无锡)创新发展大会(ICIDC)、2024中国集成电路设计创新大会暨第四届IC应用展(ICDIA-IC Show)、第十一届汽车电子创新大会(AEIF)暨2024汽车电子应用展、2024年中国半导体封装测试技术与市场年会等，集成电路领域品牌展会齐聚，实现设计、制造、封测、设备及零部件的全产业链展会图谱。

诚邀您莅临大会，与我们共同分享半导体设备及核心部件行业的最新成果，探讨合作机会。9月25-27日，相约无锡，不见不散！