天眼查显示，广东天域半导体股份有限公司“改善碳化硅外延片翘曲的方法及托盘”专利公布，申请公布日为2024年9月6日，申请公布号为CN118600556A。
本发明公开一种改善碳化硅外延片翘曲的方法，包括：（1）对翘曲的碳化硅衬底的表面进行清洗；（2）根据外延生长所需的碳化硅衬底的不同翘曲度及翘曲趋势要求，选择相对应的托盘；（3）将托盘及其支撑的碳化硅衬底放入高温热处理设备中，升温进行热处理，使碳化硅衬底变软而使其上未受托盘支撑的部位在重力作用下下坠；（4）对热处理后的碳化硅衬底再次进行清洗。本发明在外延生长之前先对碳化硅衬底的翘曲进行矫正，将超规格的衬底矫正到合格范围内而变成合格品，以提高来料的良率，降低碳化硅外延片的制造成本，并将不同翘曲的衬底改善成同一趋势的翘曲，保证后续外延生长的厚度趋势的一致性。本发明还公开一种专用于前述方法的托盘。
