紫光同芯“多次外延制作超结屏蔽栅结构IGBT及制造方法”专利获授权

作者：爱集微 2小时前

来源：爱集微 #紫光同芯#

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天眼查显示，紫光同芯微电子有限公司近日取得一项名为“多次外延制作超结屏蔽栅结构IGBT及制造方法”的专利，授权公告号为CN112670335B，授权公告日为2024年9月6日，申请日为2020年12月30日。

本发明涉及一种多次外延制作超结屏蔽栅结构IGBT及制造方法，它包括它包括第二导电类型集电极、第一导电类型缓冲层、第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、第一导电类型柱、第二导电类型柱、第二导电类型体区、第一导电类型发射极、绝缘介质层、发射极金属、屏蔽栅氧化层、屏蔽栅多晶硅、屏蔽栅盖板、栅极氧化层与栅极导电多晶硅。本发明可调节器件的电场分布，实现在低的阈值下有更有效的饱和电流，提高开关速度，降低开关损耗，实现更加稳定的安全工作区域。