佳能（Canon）9月26日宣布，将首次供应半导体的下一代制造设备——“纳米压印”光刻机（NIL），这批设备将交付给美国“得克萨斯州电子研究所”。
据了解，该设备在半导体制程中用于在晶圆上绘制电路图。目前，标准方法是使用强光来绘制电路。佳能的设备采用的方法是一种像盖章一样的，将纳米级别的图案刻在掩膜上，然后将图案转印的技术。
目前，先进制程使用的是极紫外（EUV）光刻技术，ASML是全球唯一可供应极紫外光刻设备的制造商。佳能推出的纳米压印光刻设备经过改良后甚至能生产2纳米级半导体，希望挑战ASML在光刻设备市场的地位。与使用光的传统方法相比，纳米压印的优势在于能够抑制耗电量和成本。
佳能的纳米压印设备可绘制5纳米级半导体工艺所需要的最小线宽为14纳米的电路图案，性能接近ASML开口数为0.33的EUV光刻设备所能实现的最小线宽13纳米的性能。
佳能从2014年起正式开发该技术，设备于2023年10月13日开始销售。本次供应是佳能在宣布上市之后首次出货。
佳能光学设备事业本部副事业本部长岩本和德表示：“我们的目标是在三到五年内每年销售十几台”。
