【专利】龙芯中科“数据加密方法、装置、电子设备及可读介质”专利公布;TCL华星光电“阵列基板及其制备方法、显示面板”专利获授权;一微半导体“基于纠错码的动态调整方法及芯片”专利公布

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1.龙芯中科“数据加密方法、装置、电子设备及可读介质”专利公布

2.TCL华星光电“阵列基板及其制备方法、显示面板”专利获授权

3.一微半导体“基于纠错码的动态调整方法及芯片”专利公布


1.龙芯中科“数据加密方法、装置、电子设备及可读介质”专利公布

天眼查显示,龙芯中科技术股份有限公司“数据加密方法、装置、电子设备及可读介质”专利公布,申请公布日为2024年9月13日,申请公布号为CN118643515A。

本发明实施例提供一种数据加密方法、装置、电子设备及可读介质,涉及计算机技术领域,该方法中,响应于接收到的数据加密命令,提取数据加密命令中的命令参数。基于命令参数中的加密对象参数,确定数据加密命令对应的待加密数据。在目标加密算法属于内生组件提供的加密算法的情况下,基于内生组件,使用目标加密算法对待加密数据进行加密处理;其中,目标加密算法由命令参数中的加密算法参数所指示,内生组件是内嵌在CPU中的安全组件。这样,基于专门在CPU内部设置的独立的内生组件进行加密处理,进而一定程度上可以避免容易引发CPU超负荷、性能降低的问题。

2.TCL华星光电“阵列基板及其制备方法、显示面板”专利获授权

天眼查显示,TCL华星光电技术有限公司近日取得一项名为“阵列基板及其制备方法、显示面板”的专利,授权公告号为CN118363220B,授权公告日为2024年9月13日,申请日为2024年6月5日。

本申请提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板,该阵列基板包括第一衬底以及设置在第一衬底上的第一电极层、源漏极层、钝化层和隔垫层,源漏极层位于第一电极层远离第一衬底的一侧,且源漏极层的漏极与第一电极层的像素电极搭接,钝化层包括多个保护部,隔垫层包括多个支撑柱,在阵列基板的正视视角下,支撑柱与保护部重叠设置;如此,通过将第一电极层设置在源漏极层靠近第一衬底的一侧,可使用同一道光罩形成钝化层和隔垫层,避免采用剥离工艺将钝化层与像素电极采用同一道光罩形成导致的阵列基板制作良率较低的问题。

3.一微半导体“基于纠错码的动态调整方法及芯片”专利公布

天眼查显示,珠海一微半导体股份有限公司“基于纠错码的动态调整方法及芯片”专利公布,申请公布日为2024年9月13日,申请公布号为CN118642885A。

本申请公开基于纠错码的动态调整方法及芯片,所述动态调整方法包括:内存控制器分别根据数据重要级、运行负载和/或数据错误标志信息,对当前纠错策略等级进行调整,以通过调用与调整后的当前纠错策略等级相对应的纠错码进行校验;其中,数据重要级、运行负载以及数据错误标志信息分别支持对所述当前纠错策略等级进行调整,以依次选择不同纠错策略等级作为调整后的当前纠错策略等级,并实现当前纠错策略等级对应的纠错码在不同纠错策略等级对应的纠错码之间进行转换;内存控制器根据预先写入内存模块的数据所采用的纠错策略等级进行多次检错的过程中,配置得到所述数据错误标志信息。

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