11月19日上午，北京市人民政府召开全市科技大会暨科学技术奖励大会。北京航空航天大学作为第一完成单位，荣获2023年度北京市科学技术奖项目奖4项
其中我院赵巍胜教授团队，荣获北京市自然科学奖一等奖。
2023年度北京市自然科学奖一等奖名录
获奖项目
获奖项目：自旋存储芯片及器件基础研究
第一完成人赵巍胜
集成电路科学与工程学院
项目介绍
存储芯片是电子信息产业的基石。然而我国在该领域严重依赖进口，部分产品遭受禁运。基于电子自旋的磁存储芯片具有非易失、高速读写、低功耗和抗辐照等优势，是“后摩尔时代”集成电路领域的关键技术。然而，当前自旋存储芯片和器件面临数据读取裕度不足、写入功耗偏高、存储可靠性偏低和传输效率低下等基础科学问题。在核高基国家科技重大专项、北京市科技计划等项目的连续支持下，项目团队深入开展自旋存储芯片及器件基础研究，取得以下重要科学发现，为研制国产高性能存储芯片提供支撑。
1、针对自旋存储芯片及器件的高灵敏度数据读取，成功实现249%隧穿磁电阻效应，较IBM、IMEC及高通等国际领先机构此前公布的数据提高30%，获中国电子学会科学技术成果鉴定。相关论文发表于Nat. Commun.，入选ESI高被引论文、热点论文和2018年中国百篇最具影响国际学术论文。
2、针对自旋存储芯片及器件的低功耗数据写入，发现自旋协同矩效应，实现了自旋存储器件的全电学写入，被国际集成电路领军企业格罗方德列入自旋存储芯片未来发展路线图，获中国电子学会科学技术成果鉴定。相关论文发表于Nat.Electron.，得到编辑重点评论，入选ESI高被引论文和北京地区广受关注学术论文；进一步，提出将电子运动压缩至二维平面以提高写入效率的技术方案，相关论文发表于Nat.Electron.，入选 ESI高被引论文和热点论文。
3、针对自旋存储芯片及器件的高密度数据存储，发现自旋轨道矩对界面垂直偏置的电学调控效应。相关论文发表于Nat.Electron.，为研制面向10 nm技术节点的超高密度自旋存储芯片提供了有效技术路径。
4. 针对自旋存储芯片及器件的高能效数据传输，提出了超短波长自旋波激发方法，实现了国际上相干激发自旋波的最短波长纪录（50nm）。相关论文发表于Nat.Commun.，入选ESI高被引论文。
本项目5篇代表作近五年SCI严格他引740次。成果受到来自瑞士ETH、比利时IMEC、美国斯坦福大学和日本东北大学等研究机构数十位APS/IEEE Fellow的正面评价。通过与华为、致真存储（北京）等公司深度合作，本项目在高可靠、高速度、低功耗自旋存储芯片及器件的科学发现实现了转化和应用，支撑我国存储芯片产业的自主可控和快速发展。项目完成人入选IEEE Fellow（2019）、教育部长江学者（2020）和青年长江学者（2022），荣获中国电子学会自然科学一等奖（2021）、科学探索奖（2021）和华为奥林帕斯先锋奖（2022）。
