1.SEMI：预计2024年Q4全球半导体资本支出同比增长31%
2.台积电：N2P IP准备就绪，客户现可设计性能增强型2nm芯片
3.英伟达RTX 5090显卡GPU面积达744mm²，比上代提升22%
4.澳大利亚公司呼吁加快稀土供应转移 以摆脱对中国依赖
5.“硬核”实力结硕果 ，妙存科技荣膺第十九届“中国芯”优秀市场表现产品奖，备受业界认可
6.里程碑时刻，物奇微电子芯片年出货突破1亿颗！
1.SEMI：预计2024年Q4全球半导体资本支出同比增长31%
国际半导体产业协会（SEMI）近日在2024年第三季度半导体制造监测（SMM）报告中宣布，2024年第三季度全球半导体制造业表现出强劲势头，所有关键行业指标两年来首次出现环比增长。增长受到季节性因素和对AI数据中心投资的强劲需求的推动，然而，消费、汽车和工业领域的复苏速度较慢。预计增长趋势将持续到2024年第四季度。
SEMI指出，在2024年上半年下滑之后，电子产品销售额在2024年第三季度反弹，环比增长8%，预计2024年第四季度环比增长20%。IC销售额在2024年第三季度也环比增长12%，预计2024年第四季度将再增长10%。总体而言，预计2024年IC销售额将增长20%以上，主要受存储产品的推动，因为价格全面上涨以及市场对数据中心内存芯片的强劲需求。
与电子产品销售类似，半导体资本支出（CapEx）在2024年上半年有所下降，但从2024年第三季度开始趋势转为正值。2024年第三季度，与存储相关的资本支出环比增长34%，同比增长67%，反映出内存IC市场与去年同期相比有所改善。预计2024年第四季度，半导体总资本支出将较2024年第三季度水平增长27%，同比增长31%，其中与内存相关的资本支出同比增长39%，领先于这一增长。
半导体设备部门保持强劲，表现优于此前预期，这得益于来自中国的大量投资以及对高带宽内存（HBM）和先进封装的支出增加。2024年第三季度，晶圆厂设备（WFE）支出同比增长15%，环比增长11%。中国的投资继续在WFE市场中发挥重要作用。此外，2024年第三季度，测试、组装与封装部门分别实现了令人印象深刻的同比增长，分别为40%和31%，预计这一增长将持续到今年剩余时间。
2024年第三季度，晶圆厂产能达到每季度4140万片晶圆（以300毫米晶圆当量计算），预计2024年第四季度将增长1.6%。晶圆代工厂和逻辑相关产能继续呈现强劲增长，2024年第三季度增长2.0%，预计2024年第四季度将增长2.2%，这得益于先进节点和成熟节点的产能扩张。存储容量在2024年第三季度增长了0.6%，预计2024年第四季度将保持同样的增长速度。这一增长是由对HBM的强劲需求推动的，但部分被工艺节点转换所抵消。
2.台积电：N2P IP准备就绪，客户现可设计性能增强型2nm芯片
台积电近期在欧洲开放创新平台（OIP）论坛上宣布，电子设计自动化（EDA）工具和第三方IP模块已为台积电性能增强型N2P和N2X工艺（2nm级）技术做好准备。这使得各种芯片设计人员能够基于台积电的第二代2nm生产节点开发芯片，从而利用纳米片晶体管和低电阻电容器。
到目前为止，Cadence和新思科技（Synopsys）的所有主要工具以及西门子EDA和Ansys的仿真和电迁移工具都已为台积电的N2P制造工艺做好准备。这些程序已经通过N2P工艺开发套件（PDK）0.9版认证，由于使用此制造工艺的量产计划在2026年下半年进行，因此被认为足够了。
此外，第三方IP，包括标准单元、GPIO、SRAM编译器、ROM编译器、内存接口、SerDes和UCIe产品，现在以预硅设计套件的形式从各种供应商处获得，包括台积电自身、Alphawave、ABI、Cadence、新思科技、M31和Silicon Creations。2024年第四季度推出pre-silicon DK似乎恰逢其时。
台积电N2系列工艺技术相对于其前代产品的主要增强功能是纳米片GAA（全环绕）晶体管和超高性能金属绝缘体金属 （SHPMIM）电容器。
纳米片GAA晶体管的优势众所周知：它们可以通过调整通道宽度来定制高性能或低泄漏操作。至于SHPMIM电容器，旨在增强电源稳定性并促进片上去耦。据台积电称，SHPMIM电容器容量密度有望达到其前代产品的两倍以上。与前代产品相比，还将Rs（薄层电阻，以欧姆/平方为单位）降低50%，与早期设计相比，Rc（通孔电阻）降低50%。
虽然所有N2系列生产节点都具有这些优势，但与初代N2相比，N2P预计将提供更多改进：与初代N2相比，在相同功率和晶体管数量下，功耗降低5%~10%或性能提高 5%~10%。相比之下，N2X拥有比N2和N2P更高的FMAX电压，这实际上确保了设备的性能提升：数据中心CPU、GPU和专用ASIC。在IP级别上，N2P和N2X兼容，因此打算使用N2X的公司不必重新开发他们为N2P设计的任何内容。
在去年的欧洲OIP论坛上，台积电表示其N2工艺技术的生态系统正在进步，因为EDA工具和一些第三方IP已经通过台积电的认证。在今年的OIP活动中，台积电宣布，现在主要供应商的所有EDA程序不仅通过了初代N2认证，还通过了其改进版认证，这是一个重要的里程碑。
尽管台积电的密切合作伙伴（可以使用早期PDK和预生产EDA工具）一直在设计使用台积电N2系列工艺技术制造的处理器（比如，苹果），但没有大量资源的小型芯片设计人员不得不等到台积电及其合作伙伴开发出兼容的EDA程序和IP模块。现在，这些工具可以在N2P的0.9版PDK中使用，这表明N2P正在步入正轨。
3.英伟达RTX 5090显卡GPU面积达744mm²，比上代提升22%
英伟达的RTX 5090无疑将是一款强大的GPU，部分原因在于为其提供动力的巨大GB202芯片，据MEGAsizeGPU爆料，该芯片的尺寸达到744平方毫米。RTX 5090的芯片尺寸相比RTX 4090的AD102 GPU将大幅增加22%。这可能会推高价格——无论是对于英伟达还是最终消费者。
传闻英伟达Blackwell RTX 50系列桌面GPU将采用台积电的4NP（5nm）工艺，这是Ada Lovelace架构（RTX 40系列）所使用的4N工艺的增强版本。这一工艺节点预计将带来30%的密度提升，但对于RTX 50系列来说，这一数据可能并不完全准确。无论如何，744平方毫米的芯片尺寸已经接近掩模尺寸极限（约850平方毫米）。
为了克服这一限制，英伟达在其数据中心Blackwell B200芯片中采用多芯片设计，但考虑到高昂的封装成本等因素，显然这种设计对于桌面产品并不可行。
爆料人士称，RTX 5090的GB202 GPU尺寸为744平方毫米（24毫米 x 31毫米），而整个封装尺寸为3528平方毫米（64毫米 x 56毫米）。封装尺寸并不那么重要，因为它们包括了芯片本身以及电容器、电阻器和其他结构材料。无论如何，RTX 5090将是自2018年以来市面上的最大芯片尺寸的消费级GPU。根据这一泄露信息，Turing依然保持其王者地位，因为TU102（RTX 2080 Ti）GPU仅比GB202大10平方毫米。
英伟达总是在其GPU中构建一些冗余部分，因此顶级RTX 5090解决方案可能并未完全启用芯片。通常情况下，完全启用芯片的“Prime”芯片会保留用于数据中心和专业GPU。据称，完全启用的GB202芯片提供192个SM单元，根据当前泄露信息，RTX 5090拥有88%启用的GB202芯片（170个SM单元）。
这与RTX 4090完全吻合，后者也被限制在88%（144个SM单元中的128个）。据报道，RTX 5080被严重削弱，仅有84个SM单元，因此其芯片尺寸可能大约是GB202的一半。英伟达很可能将为RTX 5090承担高昂的制造成本，但这无疑会转嫁给最终消费者。预计RTX 5080和5090 Blackwell显卡之间的价格差异会非常大。
最近泄露信息称，黄仁勋将在CES 2025上首次亮相英伟达旗舰RTX 5090和RTX 5080 GPU。随后，主流的RTX 5070和5070 Ti GPU预计将在第一季度晚些时候推出，随后是预算型的RTX 5060产品。
4.澳大利亚公司呼吁加快稀土供应转移 以摆脱对中国依赖
澳大利亚稀土公司Arafura希望成为中国以外仅有的几家能够将稀土矿物加工成智能手机、风力涡轮机和电动汽车等基础材料的公司之一。该公司CEO Darryl Cuzzubbo 表示，如果各国政府真正想摆脱中国对稀土供应链的控制，就需要采取更快的行动。
据悉，Arafura已经从澳大利亚、韩国、加拿大和德国获得了超过10亿美元的债务融资，该公司正计划在北领地投资14亿美元建设一个项目，其中包括一座矿山和加工设施，该设施每年可生产4,440吨氧化钕镨（NdPr），持续近40年，还能生产副产品磷酸。
NdPr 用于制造永磁体，这种材料有多种用途，增长最快的领域是电动汽车和风力涡轮机。Cuzzubbo 表示，两三年后，用户可能很难从中国以外的供应商那里采购这种材料。各国政府正在“朝着正确的方向前进”，以确保供应，但速度还不够快。
Cuzzubbo称，“看看价值数万亿美元的汽车行业，正在向电动汽车转型，但除非你是日本，否则你都依赖中国的供应。未来十年对NdPr 的需求预计将翻一番，但建造一座矿山并投入运营平均需要 18 年时间。”
总体而言，中国占全球稀土开采供应量的60%，冶炼产能约占全球的85%，稀土磁铁产量约占全球的90%。由于担心在地缘政治紧张局势日益加剧的情况下对中国关键矿产的依赖，美国一直在通过拜登总统的《通货膨胀削减法案》和其他政策鼓励建立非中国供应链，不过进展缓慢，在即将上任的特朗普总统的领导下，这种努力的未来充满不确定性。
5.“硬核”实力结硕果 ，妙存科技荣膺第十九届“中国芯”优秀市场表现产品奖，备受业界认可
11月7日，2024中国微电子产业促进大会暨第十九届“中国芯”优秀产品征集结果发布仪式在横琴粤澳深度合作区隆重举行。晶存集团子公司妙存科技凭借旗下低功耗高可靠性的eMMC存储芯片ATM00X系列产品，荣获“中国芯”优秀市场表现产品奖。
“中国芯”优秀产品评选活动由中国电子信息产业发展研究院发起，自2006年设立以来已连续举办十九届，成为国内集成电路领域最具影响力和权威性的行业活动之一。该奖项旨在表彰在主要市场应用领域销售业绩突出、产品竞争力强、拥有自主知识产权、具备技术创新和良好应用前景的单款芯片产品。
此次获奖的eMMC存储芯片采用妙存科技自主研发的eMMC控制器芯片，兼容主流NAND Flash类型，包括SLC、MLC、TLC，制程覆盖2D/3D闪存，支持国际存储大厂及长江存储等厂商生产的闪存类型，容量范围覆盖1Gb至256GB，为客户开发不同方案提供更多选择。
截至目前，该芯片累计出货超过6000万颗，位居国产同类产品出货量前列，产品已在消费级、工业级、车规级宽温等不同应用市场实现大批量量产，广受终端客户的认可。
凭借强大的研发实力与优秀的产品力，妙存科技获得了业内的高度认可。继广东省名优高新产品奖、珠海市创新产品奖后，妙存科技再获得“中国芯”优秀市场表现产品奖，这不仅是业内对妙存科技强大研发实力的认可，更是对其实现核心技术突破、推动国产存储控制芯片自立自强的充分肯定。
同时在“芯片设计人才培养与产教融合”论坛上，妙存科技总经理赖鼐发表了题为《半导体专业应届生的选拔、培养与招聘挑战》的演讲，详细分析了人才供给形势、妙存科技的人才观、应届生选拔与培养以及招聘面临的挑战。
面对人才引进的挑战，妙存科技借助政府政策支持和差异化的选人策略，持续引进认同存储芯片领域并愿意长期发展的优秀人才。
在存储芯片产业快速发展的背景下，妙存科技成功抓住了市场机遇，展现出强大的发展潜力。随着全球半导体行业的复苏和市场需求的增加，将继续发挥优势，为中国存储产业的繁荣发展注入新的活力。
6.里程碑时刻，物奇微电子芯片年出货突破1亿颗！
物奇副总裁韦韧表示：
坚守长期主义的研发投入，技术的先进性和产品的领先性得到了市场的充分验证。多元化的发展策略，阶梯型的产品市场规划，能够让我们持续释放出巨大的增长潜力以及不断推出更富有竞争力的创新产品。（来源： 物奇）
