高带宽内存（HBM）是2024年半导体领域的绝对热词。随着AI持续推动，2025年HBM大概率依旧霸榜。因为数据中心和AI处理器越来越多地依赖这种类型的存储器来处理庞大数据，缓解带宽压力。而激增的HBM需求也将影响2025年的DRAM市场供需，预计存储厂商将会优先生产HBM相关产品，而非传统型DRAM。此外随着AI应用的渗透，行业应用对大容量固态硬盘（SSD）的需求也在上升，QLC NAND技术的采用率增加，影响2025年的NAND市场供需生态。
中低端产能转向先进存储
NAND的产能利用率在2023年降至历史低位的20%～30%之后，在2024年初一度恢复到80%～90%，然而至2024年底，除去部分人工智能数据中心所需固态硬盘需求依然良好以外，通用NAND产品的需求再次降低。行业预测换机周期将推迟到2025年下半年，这促使终端企业将根据市场情况调整产能。目前，三星电子、SK海力士、美光和铠侠等主要NAND闪存企业都有降低NAND利用率和削减投资的消息传出。
根据报道称，三星正在考虑将其P4 NAND生产线的一部分产能转换为DRAM。三星设备解决方案（DS）副总裁KimJae-joon表示，公司正下调通用DRAM与NAND存储产品的产量，以符合逐渐下滑的市场需求。SK海力士也有消息称，可能将清州M14、M15X和M16工厂的部分NAND产能转用于生产HBM。铠侠方面消息显示，由于担心未来库存上升，铠侠减少第四季度NAND产量，避免产能过剩。但同时为应对生成性AI浪潮需求，铠侠将于2025年大规模生产第八代NAND设备，并准备投产最先进存储产品。
DRAM方面同样存在降低中低端产品产能，转向先进存储产品的情况。有消息显示，三星预计将减少以DDR4为主的产能，把部分DDR4产能转移至DDR5、LPDDR5以及HBM等先进产品的生产上。
不过日前集邦咨询对先进制程产品的需求也提出预警，DDR5与LPDDR5X等先进制程产品的需求展望尚不明确。集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，先前受三大供应商积极建置HBM产能，加上预计新厂到2026年才会步入量产阶段等影响，TrendForce集邦咨询原本对于2025年DRAM价格走势看法偏乐观。然而，近期市场动态变化快速，使得集邦咨询对明年的价格预测进行调整，2025年DRAM价格将转为下跌，上半年的跌幅较明显，其中，DDR4和LPDDR4X的降价压力将持续大于DDR5与LPDDR5X。
AI市场热度依旧明确
尽管存储产品市场供需形势快速变化，但AI市场热度依然相对明确，这也使得存储企业加大在高性能HBM、大容量闪存产品上的研发投入。例如，在SK AI Summit 2024期间，SK海力士透露正在开发HBM3e 16hi产品，每颗HBM芯片容量为48GB，预计在2025年上半年送样。以往HBM供应商在各世代会推出两种不