莱普科技集成电路装备研发制造基地项目今年将投产

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据成都发布消息,近日,成都多个项目进度刷新,成都高新西区一批重点项目正在加快建设。其中,莱普科技全国总部暨集成电路装备研发制造基地项目将于今年实现投产。

在莱普科技全国总部暨集成电路装备研发制造基地项目(以下简称:普科技项目)现场,可以看到项目的内外装施工已基本完成,与3个月前相比,项目整体覆盖上了一层银白色的外壳,此前空荡荡的窗口,也已被玻璃尽数点缀。项目目前已正式进入收尾阶段,将于今年实现设备搬入、投产。

(莱普科技项目现场,来源:成都发布)

据介绍,莱普科技项目占地面积39亩,建筑面积6.5万平米,主要建设内容包括企业全国总部、技术中心、制造中心、服务中心以及核心零部件研发及产业化基地,并将同步建设中科院半导体所成都半导体材料先进激光加工技术联合实验室及培训基地、四川省全固态先进激光工程技术研究中心等项目。

项目建成后,将有力推动我国半导体领域激光装备和技术的进步,在集成电路制造前道工艺创新、先进激光技术应用与系统集成、核心零部件自主可控、专业人才培养等方面产生积极作用。

责编: 赵碧莹
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