天眼查显示，深圳基本半导体有限公司“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法”专利公布，申请公布日为2024年11月29日，申请公布号为CN119049972A。
本发明公开了一种碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法，该方法包括：获取N型碳化硅衬底，并在N型碳化硅衬底的正面生长N型碳化硅外延层，在N型碳化硅衬底的背面生成漏极金属层；N型碳化硅外延层的顶部表面的第一区域依次注入P型杂质和N型杂质，以形成相邻的N型掺杂区域和第一P型掺杂区域；在第一区域中通过光刻工艺刻蚀形成沟槽；在沟槽内，由外向内依次生成第一栅极氧化层、多晶硅层和屏蔽栅；在多晶硅层上形成金属链接孔；在沟槽的开口处沉积第二栅极氧化层，以覆盖沟槽开口；在第二栅极氧化层的顶部表面生长源极金属层。利用本发明公开的方法，可以解决现有技术中碳化硅沟槽型MOSFET器件的沟槽底部的两个角落的栅氧化层易被击穿的问题。
