Kilopass首席执行官：用串行闪存及ROM保存程序的效率太差

　“使用ROM及串行闪存保存半导体驱动程序的效率太差”。作为能够以通用CMOS工艺制造的混载OTP（One Time Programmable）ROM的IP提供商，美国Kilopass Technology的首席执行官Charlie Cheng（见照片）在接受《日经电子》采访时如是说。此次采访的主要内容如下。

　　OTP ROM正如其名称一样，是只可写入一次的ROM。主要用于保存驱动半导体芯片的程序及参数。以前，通信用半导体芯片、电源管理用半导体芯片及显示器控制用 半导体芯片所使用的程序一般使用外置及内置的闪存或掩模ROM来保存。

　　但是，与OTP ROM相比，闪存及掩模ROM存在多项缺点。比如闪存在外置时，不仅其芯片成本较高，而且还要有足够的底板面积。另外，在相同裸片上混载闪存时，与通用 CMOS相比，工序更为复杂。并且，与Kilopass的IP相比，每bit还需要5～10倍的单元尺寸。而掩模ROM虽然与Kilopass的IP相 比，每bit只需0.3倍的单元尺寸即可，但除了需要外置之外，制造ROM时还需要长达70天左右的时间。

　　与闪存相比，包括Kilopass的产品在内，OTP ROM均存在不能擦写的缺点。不过，此次Kilopass开发出了最大可配备4Mbit的大容量OTP ROM，使这一状况得以改观。由于几乎没有使用全部4Mbit容量的程序，因此通过在未写入的地方保存新版本的程序，便可实现擦写。另外，在升级时，一般 多是对差分的部分进行追加，而不是对所有部分进行擦写，因此即使剩余空间较少，也可进行升级。Kilopass计划2011年上半年开始提供32Mbit OTP ROM的IP，并力争凭借大容量，实现多次擦写。目前已支持28nm工艺规格，今后还有望进一步微细化。

　　日本有众多企业在设计、制造手机用半导体芯片。目前，Kilopass正在向这些企业推荐采用该公司的OTP ROM。（记者：中道 理）