1.消息称奔驰将遣散30000名员工！中层遣散费或近400万

2.量产、储备、预研：SiC沟槽栅器件突破背后芯粤能的技术迭代密码与市场雄心

3.DRAM价格连续六月下跌，中国支持国产政策影响显著

4.机构：2025年半导体硅部件市场预计增长至8亿美元

5.改变代工傲慢态度？三星电子罕见提及“客户服务”

6.三星会长访小米争取订单

7.3产业难敌陆辗压 印度放弃230亿美元“生产激励计划”

1.消息称奔驰将遣散30000名员工！中层遣散费或近400万

据报道，梅赛德斯管理层将在4月给所有员工发信，为离职员工提供非常丰厚的遣散费，具体数额取决于工资和服务年限等因素。

内部资料显示，对于一位55 岁的团队负责人，月薪约为9000欧元（约合7万人民币），工作30年，可以拿到超过500000 欧元（约合392万元人民币）的遣散费。

报道指出，梅赛德斯-奔驰集团向多达30000 名未直接参与生产的员工提供这些遣散费。具体来说，一名在公司工作 20 年、月薪 7500 欧元（约合5.9万元人民币）的 45 岁职员可以得到超过 300000 欧元（约合235万元人民币）。即使是一名30多岁的工人，每月收入6000 欧元（约合4.7万元人民币），也可以拿到超过100000 欧元（约合79万元人民币）的遣散费。

该公司计划在 4 月底之前向符合条件的30000多名员工提供单独的书面报价，并在7月31日之前做出回复。如果员工不想离开，他们不会被解雇。另一方面，梅赛德斯还保留拒绝任何可能被遣散费诱惑的员工的权利，尤其是如果他们担任关键职务，因为它希望尽可能多地留住顶尖人才。

奔驰CEO奥拉·卡列尼乌斯表示，丰厚的遣散费能鼓励约3万名员工自愿离职，相关细节已经与企业职工委员会达成了一致。

奔驰之所以选择遣散部分员工，与当前公司正处于的艰难处境有关。奔驰此前公布的2024财报显示，全年营业收入为1455.94亿欧元（约1.1万亿元人民币），同比下降4.5%。全年毛利285.76亿欧元（约2241亿元人民币），同比下跌19.5%；毛利率降到19.6%，是奔驰四年来第一次全年毛利率跌破20%。税后净利润为104.09亿欧元（约816亿元人民币），同比大跌了28.4%。

2.量产、储备、预研：SiC沟槽栅器件突破背后芯粤能的技术迭代密码与市场雄心

随着我国新能源产业的崛起，SiC产业作为代表性配套产业之一也正迎来蓬勃发展。近日，广东芯粤能半导体有限公司（以下简称“芯粤能”）经过近两年时间的技术研发和测试，已成功开发出第一代SiC（碳化硅）沟槽MOSFET工艺平台。芯粤能CTO相奇在接受集微网采访时指出：“技术只有找到市场才能快速进步，而SiC的主要应用市场在中国。电动汽车、风光储能、电网、轨道交通等领域都是中国的强项，这些都为SiC的国产化发展提供了强大动力。”

作为国内SiC芯片制造的领先企业之一，芯粤能凭借其“量产一代、储备一代、预研N代”的技术迭代体系，迅速展现出独特优势：技术创新提速迅速提升了产品性能及可靠性，规模化效应又不断推动着制造成本持续下降。

需求驱动，SiC国产化势不可挡

与传统的Si基IGBT相比，SiC功率器件具有更高的效率、更高的工作温度、更快的开关速度以及更高的电压承受能力，更契合新能源汽车、风光储、轨道交通、AI数据中心、低空经济等产业对电力电子器件的需求。

受益市场驱动，我国SiC产业市场规模快速增长，根据集微咨询（JW Insights）数据，中国SiC器件市场规模预计将由2023年的130亿元提升至2028年的超400亿元，同时构建起较为完备的SiC产业链，覆盖芯片设计、衬底制造、外延片生产、晶圆制造、芯片封装、器件测试等领域，且企业数量位居全球前列，如SiC器件领域，全球约104家企业中，中国企业多达78家（大陆71家、台湾7家）。

在众多本土企业的努力下，国产SiC进入产能快速释放的新周期。相奇介绍称：“尽管国际头部企业凭借先发优势仍占据全球95%的市场份额，但国产SiC器件已在车厂验证，2025年将成为国产SiC芯片规模量产上车的元年，芯粤能制造的芯片也有望在2025年上半年上车，未来这一进程将逐步加快，且趋势已不可阻挡。”

沟槽突破，赶超国际先进水平在即

影响决定SiC大规模应用的核心要素主要是“PRC”指标——性能（Performance）、可靠性（Reliability）、成本（Cost）。据相奇介绍：“目前70%的SiC应用在新能源汽车上，其中又有约90%用于主驱系统。而主驱系统对功率芯片的性能和可靠性要求极高。”另据供应链消息，两年前SiC的成本约为Si基IGBT的3倍-5倍，也制约了SiC的普及。

不过自2024年以来，SiC的“PRC”指标加速了由量变到质变的进程，性能快速提升的同时，成本也在快速下降，大大缩短了本土SiC的上车进程，而这一成就离不开本土企业的技术创新和迭代。

芯粤能作为领先企业之一，自成立之初便确立了“加速迭代，快速赶超”的研发策略，并提出了“量产一代，储备一代，预研N代”的技术迭代体系。

围绕“PRC”指标，芯粤能已推出SBD和MOSFET两大SiC平台工艺。针对要求极高的新能源汽车主驱市场，芯粤能将MOSFET作为主要创新领域，目前第一代、第二代平面MOSFET工艺平台均已实现成熟量产，第三代和第四代平面MOSFET工艺平台也已进入开发阶段。

在沟槽MOSFET方面，芯粤能于2023年下半年启动预研，目前第一代工艺平台的1200V试制品的平均良率已经达到90%以上，其中单片最高良率超过97%，已与平面工艺平台的良率基本持平。

据了解，其第一代沟槽MOSFET工艺平台23mm²芯片尺寸下导通电阻为12.5mΩ，比导通电阻指标已达到2.3mΩ·mm²，温升系数、开关损耗、抗雪崩和抗短路能力都达到产业应用的要求。关键可靠性摸底测试包括HTGB、HTRB、HV-H3TRB等皆零失效通过1000小时考核。相奇表示：“公司SiC产品性能已接近国际先进水平，预计未来两年，基于第三、第四代平面工艺和第二代沟槽工艺的产品将全面赶超国际先进水平。”

此外，芯粤能产线严格按照车规高标准构建，已顺利通过IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001、ISO 45001等管理体系认证，确保产线管理严格满足行业要求。芯粤能车规主驱芯片已通过车规可靠性AEC-Q101认证，相应功率模块已通过AQG 324验证。

创新赋能，加速冲刺国内前三

相奇预测：“预计未来1～2年内，SiC成本将与Si基IGBT相当；考虑到IGBT也在降价，两者成本有望在3年内实现持平。”届时SiC将加快对传统Si基IGBT的替代速度。芯粤能销售总监丁原强指出：“当芯片的性能和可靠性达到国际先进水平时，价格将成为企业扩大市场份额的关键因素。”

针对价格挑战，芯粤能依托“量产一代，储备一代，预研N代”的技术迭代体系，不断加快迭代创新速度，通过提升工艺稳定性、生产良率、产品可靠性和交付及时性，为客户打造极具竞争力的产品和最佳交付体验。例如，其采用沟槽结构的第一代碳化硅MOSFET工艺平台已于2025年年初开发成功，有望填补国产沟槽器件商业化空白；公司也在推进第二代沟槽结构工艺平台开发，成本将会进一步下降，芯片的功能和性能也会同步获得提升。

在相奇看来，SiC技术远不如Si技术成熟，因此创新空间大、创新附加值高：“技术创新是企业增加竞争力、抗‘卷’的最佳方法，是解决行业痛点、降低成本的重要手段。”随着以芯粤能为代表的本土芯片企业PRC竞争力快速提升，SiC国产化率也进入快速增长新阶段。丁原强预计，今年国内SiC厂商的市占率有望同比增加10～15个百分点，至今年年底国产化率最高可达20%，并有望在未来3~5年突破50%。

在提供通用产品制造的同时，芯粤能也会就特殊需求向客户提供定制化服务，助力客户打造差异化竞争力，提升产品毛利率。针对行业痛点及未来需求，芯粤能还提供隔代预研合作服务，目前正与多个客户基于未来3-5年的市场需求预判，进行隔代新工艺、新产品研发。

丁原强表示：“我们有好的技术、好的工艺，都会毫无保留地与合作伙伴分享，他们需要什么，我们就想办法帮他们做什么，助力他们在市场竞争中脱颖而出。只有合作伙伴发展得好，我们才能实现互惠共赢。”

未来，芯粤能将在与客户，乃至终端用户的紧密合作中“加速迭代，快速赶超”，朝着国内前三的SiC芯片制造服务商目标迈进。

结语：

在SiC产业加速“内卷”的当下，芯粤能凭借其技术迭代体系和对市场需求的深刻洞察，正稳步迈向国内SiC芯片制造的前列。随着产能的释放和技术的持续创新，SiC器件的成本正在快速下降，其应用领域也在不断拓展。

从新能源汽车到风光储，从工控到家电，从AI数据中心到低空经济，SiC的市场潜力正逐步释放。芯粤能不仅要在国内市场展现出强大的竞争力，更要通过全球战略布局，逐步提升其在国际市场的影响力。未来，随着国产化率的持续提升和技术创新的不断突破，中国企业有望在SiC领域实现对行业领先技术的全面赶超，为全球新能源产业的发展贡献更多“中国力量”。

3.DRAM价格连续六月下跌，中国支持国产政策影响显著

数据显示，DRAM价格在2月份比上月下跌了3%，这已经是连续6个月的环比下降，创下了2023年12月以来的最低水平。分析机构指出，这种下跌趋势的出现主要受到了两方面的影响，一方面是搭载DRAM的个人电脑和智能手机的需求疲软，另一方面则是中国持续优待本国产品的趋势。

对于大宗交易价格来说，2月份8GB DDR4的指标价格为每个1.70美元左右，而容量较小的4GB产品在1.30美元左右，这两者的价格都比上月下降了3%。据统计，DRAM约有50%被用于个人电脑和数据中心的服务器设备，约35%被用于智能手机。由于电脑和智能手机的需求下降，DRAM的价格受到了影响。

此外，中国实施优待本国产品的补贴政策也是影响DRAM价格的一个重要因素。中国购买本国产品的趋势加强，使得价格下跌的趋势加速。一家日本电子商社表示，中国DRAM企业长鑫存储技术（CXMT）“主要生产指标产品DDR4，同时也在开发下一代产品DDR5”。

关于未来的DRAM价格，目前多数观点认为可能要到下半年才会上涨。

4.机构：2025年半导体硅部件市场预计增长至8亿美元

根据电子材料咨询公司TECHCET的最新预测，2025年半导体硅零部件的收入将增长，达到8亿美元。这一增长得益于新系统销售和替换零件销售的适度增长，使新系统零件销售增长8%，替换零件销售增长2%。根据TECHCET的《关键材料报告™》关于硅零件的数据显示，预计2024年至2029年市场将以4.5%的复合年增长率（CAGR）增长，2027年收入预计将达到9.4亿美元。

尽管2024年的增长有限，但提高半导体制造产量和效率的努力推动了市场发展，对高纯度硅组件的需求依然强劲。先进半导体制造设备的需求和持续的技术升级将继续推动市场发展，即使在宏观经济不确定性依然存在的情况下。公司预计也将从晶圆厂扩建和老化系统中日益增长的替换零件需求中受益。

然而，地缘政治紧张局势，尤其是持续的中美贸易冲突，预计会对硅零件市场构成挑战。新的出口限制和关税导致成本增加和供应链中断，中国也对关键材料实施了管控。这些地缘政治风险凸显了公司多样化供应链和确保替代材料来源以维持未来几年生产稳定性的必要性。

5.改变代工傲慢态度？三星电子罕见提及“客户服务”

由于在代工业务中继续苦苦挣扎，三星电子正在重新评估其对代工客户的冷漠态度。

“三星正在通过与客户进行大量对话来重新评估公司的（代工）地位，”该公司代工业务负责人Han Jin-man在近日举行的公司股东大会上表示，“代工业务将以客户服务为导向，提高客户满意度并确保竞争力。”他显然注意到竞争对手（台积电）以客户为中心的理念，这在其“不与客户竞争”的口号中得到了很好的体现。

Han Jin-man表示，该部门现在将开始制定战略，以确保客户并推进其制造技术。

另一方面，三星是一家综合芯片生产商，除了通过代工业务为其他公司代工外，还设计和生产自己的芯片。市场内部人士指出，这种状况可能使该公司难以在定制芯片和适应不同需求方面实现客户至上的理念。

三星电子罕见地提到“客户服务”和“客户”，因为该公司正努力应对代工芯片制造业务市场份额的大跌。其代工市场份额从2022年第一季度的16.3%降至2024年第四季度的8.1%。与此同时，根据市场调研机构TrendForce的数据，台积电同期的市场份额从53.6%飙升至67.1%。

业内人士指出，三星的傲慢态度是其在争取代工客户方面进展缓慢的主要原因之一。

韩国一家芯片设计公司的首席执行官表示：“当我建议三星电子代工生产我们的产品时，它实际上拒绝了。三星电子首先查看了我们的财务报表，并表示无法与财务状况如此薄弱的公司合作，甚至没有评估我们的技术。”该公司现在与台积电合作生产芯片。

此外，值得注意的是，三星在美国的全新芯片制造工厂尽管大部分建设已经完成，但由于缺乏客户而处于闲置状态。

三星电子的建筑子公司三星物产(Samsung C&T)负责在德克萨斯州泰勒建设芯片工厂，其2024年业务报告显示，制造厂的建设已完成99.6%，但该芯片制造商计划在2026年开始运营，理由是市场放缓。这些工厂的总价为370亿美元，原计划于2024年底开始运营。

世宗大学工商管理系黄永植教授表示：“争取客户是代工业务的首要因素。三星必须改变傲慢态度，才能在代工业务中占有一席之地。”

6.三星会长访小米争取订单

韩国媒体报导，三星电子执行会长李在镕出席一年一度的中国发展高层论坛，为2023年来首见，并与小米执行长雷军等深具影响力的企业领袖会面，以寻求突破当前困境的机会。

韩联社报导，李在镕和SK海力士CEO郭鲁正都名列中国发展高层论坛的宾客名单上，与苹果执行长库克，以及宝马、奔驰及联邦快递等跨国领袖同台。

陆媒报导，李在镕与雷军会面，22日也参访小米的汽车工厂，高通执行长安蒙一同参观。

李在镕和雷军的会谈细节仍不得而知，但韩国产业人士认为，这场会议聚焦于小米电动车的潜在交易。虽然小米是三星在智能手机与家电市场的竞争对手，但有望成为三星汽车零组件事业的客户，尤其是半导体和显示器，而李在镕2015年来便强调汽车零组件将是三星未来的成长驱动引擎之一，三星和高通去年8月也已敲定车用芯片供应伙伴关系。

这也是李在镕的三星旗下子公司并购案争议在2月获韩国高等法院判决无罪后，首次海外行程，南韩产业人士推敲，李在镕可能在中国发展高层论坛拓展人脉，寻找潜在合作机会，并且希望与北京政府平顺合作。

李在镕近来都保持低调，甚少公开露面，因此这次访陆行程被认为是战略举措。

此外，苹果CEO库克已于22日现身北京。据悉，库克与壹心娱乐董事长杨天真一同攀登景山公园，他表示「被景山山顶眺望故宫的全景震撼」，并获赠一件唐装，称自己「很喜欢北京」。库克23日现身中国发展高层论坛开幕式，被问及是否使用过DeepSeek时，库克表示：「当然，很棒！」（来源： 联合新闻网）

7.3产业难敌陆辗压 印度放弃230亿美元“生产激励计划”

外媒引述4位印度官员消息指出，印度总理莫迪已经决定放弃“生产激励计划”。这项230亿美元（约1667.33亿元人民币）的计划已推行4年，尽管成功提振了制药业和手机制造等产业，但在钢铁、纺织和太阳能板制造等领域，印度厂商仍难以与中国大陆进行价格竞争。

路透报道，印度政府承诺若参与计划的公司在特定期限内达成既定生产目标，即可获得现金奖励。莫迪政府期望于2025年前，将制造业占印度经济比重提升至25%。富士康、印度巨头信实工业等约750家企业已参与该计划。

不过，据机构取得的政府文件和信函显示，许多参与计划的企业迟迟未开始生产；此外，已完成目标的企业却面临政府迟发补助金的问题。

印度商务部指出，截至去年10月，参与计划的企业共生产价值1519.3亿美元的产品，仅达政府设定期望值的37%，而政府仅发放17.3亿美元的奖励金，达标率不到8%。

报道称，此计划有效提振了制药业与手机制造业等，然而钢铁、纺织和太阳能板制造产业难以与中国大陆低价竞争，其成效不尽理想。

两名政府官员表示，生产奖励计划终止并不代表印度放弃振兴制造业，而是正在着手规划替代方案。该计划推行4年以来，制造业在印度经济占比已下滑至14.3%。

负责监督计划的莫迪办公室和商务部尚未对路透社的置评请求做出回应。（来源： 工商时报）