晶存科技亮相 NEPCON Vietnam 2025:以“高可靠、高性能”存储矩阵迈出海外布局重要一步

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9 月 10–12 日,NEPCON Vietnam 2025 在河内 I.C.E. 展馆举办,作为越南电子制造与 SMT 领域的标志性展会,定位聚焦 SMT、测试测量、制造设备与配套产业,面向专业观众开放,汇聚众多企业进行技术与商务交流。

对晶存科技而言,本次亮相不仅是走出海外、面向全球市场布局的重要一步,也是在核心客户与生态场景中验证“高可靠、高性能”存储矩阵的关键节点。

围绕这一目标,我们以“高可靠、高性能”为主线,带来贯穿内存到闪存的完整产品矩阵:自研主控与固件栈加持的 eMMC/UFS,兼顾带宽与能效的 LPDDR5/5X,以及 2.5 英寸 SATA、mSATA、PCIe 3.0/4.0 等多形态 SSD。协同构成一体化数据通道,为消费电子、家居安防、工控与边缘计算等场景持续提供稳定底座。

UFS基于自研 ATM102,我们对 QLC NAND 的介质特性进行精细化建模,并在固件与 FTL层协同优化,让多流并发、高温长时间写入等压力场景也能保持稳定。

基于这一架构的 QLC UFS 2.2,关键指标为:顺序读取 >900 MB/s、顺序写入 >800 MB/s、随机读取/写入均 >500 MB/s;在部分指标上已可比肩甚至优于部分 TLC UFS 2.2。

LPDDR5/5X 得益于最高 8533 Mbps 的带宽与良好的能耗控制,能从容应对端侧多任务、传感并发以及轻量化大模型推理等复杂负载,时序稳定、续航更久。

与 UFS/SSD 协同后,实时推理、素材缓存、日志回放的衔接更自然,让整条业务链更耐久、更可控。

从SATA、PCIe3.0到PCIe4.0 物理接口和总线标准,拥有一套完整的SSD方案选择,覆盖不同设备与接口需求。

其中 PCIe 4.0 SSD 的最大读取速度为 7400 MB/s,最大写入速度为 6500 MB/s,在全区损耗均衡与FTL 策略优化的加持下,即使面对长时间高写入和多队列并发,也能把磨损分散、把时延波动压低,长期运行更踏实,适合边缘训练/微调、数据回放、缓存等持续性任务。

AI 驱动的高带宽与高可靠标准

放眼海外市场,AI 正把“高带宽 + 高可靠存储”从可选项变成基本盘:AI PC 让端侧推理成为日常;数据中心在 AI 基建驱动下持续扩容,使服务器与存储不断升级;而在移动端,生成式能力的渗透与换机周期叠加,也在加速 UFS 与 LPDDR5/5X 的迭代与放量。

NEPCON 期间的深入交流,验证了客户对“可靠性、性能与一致性”的核心关切。

晶存科技将继续以自研主控与可配置固件为技术底座,以体系化验证与全生命周期质量管理为抓手,把“高可靠”沉淀为可复制、可扩展的工程能力,在全球多元场景中为客户提供更可靠的存储解决方案。

责编: 爱集微
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