（文/罗叶馨梅）12月11日，天岳先进（688234.SH）在互动平台回复投资者提问时表示，从SiC技术路线本身来看，SiC导电型器件在频率和散热性能方面具有优势，公司正积极推进相关机器人领域的产业化合作。公司重申，其在碳化硅材料及相关应用方向上将持续深化布局。
针对投资者提及友商在特定领域（如人形机器人伺服电机）的具体产品技术路线，公司表示，宏微科技、英诺赛科等企业是否采用GaN-on-Si还是GaN-on-SiC属于各自经营细节，建议以相关公司官方披露为准。天岳先进从行业技术逻辑角度进一步说明，GaN-on-Si目前多用于消费电子及中低压功率器件领域，具有成本优势；而GaN-on-SiC则结合了氮化镓的高频性能和碳化硅的高导热性能，通常应用于对散热和稳定性要求更高的射频或高端功率领域。
公司介绍，天岳先进是全球领先的半绝缘碳化硅衬底供应商。传统意义上，半绝缘碳化硅衬底主要应用于5G通信、雷达等射频领域，为高频、高功率器件提供基础材料支撑。随着人形机器人、低空经济等新兴产业对高性能功率器件需求的提升，相关应用场景正逐步拓展，有望为公司带来新的增长机遇。
天岳先进指出，半绝缘碳化硅衬底正是GaN-on-SiC技术路线的核心基础材料。若下游人形机器人等高端智能装备为了追求更高的功率密度、更小的体积以及更优散热性能，选择采用GaN-on-SiC技术路线来制造伺服电机驱动器，将直接增加对半绝缘碳化硅衬底的需求，进一步放大公司产品在新兴领域的应用空间。
从公司披露的整体表述来看，未来其将在既有5G通信、雷达等射频应用基础上，继续结合人形机器人、低空经济等新兴场景推动半绝缘碳化硅衬底的产业化落地。公司也在围绕相关高端功率及射频器件客户，探索更多合作机会，以把握新一轮技术升级和应用拓展带来的市场机会。
（校对/秋贤）
