数字经济时代，高速网络通信构成了连接物理世界与数字空间的大动脉。从云端算力的爆发到边缘基站的演进，再到千家万户的万兆接入，这一庞大生态对底层芯片提出了前所未有的挑战。在近日举行的ICCAD-Expo 2025上，兆易创新存储事业部市场经理莫伟鸿发表了题为“兆易创新多元产品赋能高速网络通讯全场景应用”的主题演讲，详细剖析了行业变革的众多场景和挑战，并展示兆易创新如何通过Flash及其他产品线的深度协同，为高速网通产业提供高可靠的国产化解决方案。
多元产品协同
构建“云-管-端”全链路解决方案
网络通信早已跨越了单一设备的范畴，演变为一个严密的生态闭环。莫伟鸿表示，整个生态系统由接入服务网络（云）、有线连接网络（管）以及家用端/终端设备（端）构成。在这个架构中，无论是承载核心算力的服务器，还是负责数据调度的交换机与光模块，亦或是触达终端消费者的家端设备，都对芯片的性能与可靠性有着严苛要求。
面对复杂的需求，兆易创新已经可以提供覆盖全场景的产品系列。莫伟鸿强调，公司目前已构建起多条产品线协同的布局：以全容量、高可靠、高性能、低功耗、多种供电电压类型、多封装选择的Flash产品线为基础，并结合MCU、模拟芯片、传感器等形成了能够覆盖网通全链路的多元化产品矩阵。
市场脉动与核心机遇
四大应用场景深度解析
兆易创新凭借多元化的产品布局，正全面渗透并赋能通信市场的各个核心环节。
当前，行业正处于5G向5G-Advanced（5G-A）迈进的关键期。通过SUL、帧结构调整、UDC等关键技术，5G-A在容量、覆盖和体验三个维度实现显著提升，既满足热点区域的高密度数据传输需求，也推动低空通信与4K/8K超清直播等新兴应用场景落地，更以XR+AI沉浸式体验重塑行业生态。作为5G-A升级的核心载体，基站的性能革新将成为产业关键节点。并且，随着6G持续推进、AI技术的融合、5G网络切片的发展，基站还将迎来更大的升级空间。
兆易创新凭借高可靠性与持续创新的产品矩阵，正在基站领域构建国产化替代的完整解决方案。其大容量NOR Flash和高可靠NAND Flash，以在极端环境下的稳定性成为基站不可或缺的组件，高效赋能5G-A新建和6G实验。同时，其MCU和模拟产品协同，持续发挥出创新优势，多产品线在通信领域已逐步覆盖国产化需求。
AI服务器是整个通信系统的大脑。据公开市场信息，2025年全球AI服务器出货量将达200万台，中国市场占据四分之一。过去五年年复合增长率约为25%，预测2026出货量有望达到250万台。在服务器内部，兆易创新的存储产品已深度应用于多个关键环节。从BIOS启动引导、BMC固件恢复到RAID卡与SSD控制器，再到PCIe交换芯片，均需配备高性能Flash存储。同时，GPU显卡或OAM模组的普及均带来了显著的新增需求。整体而言，随着AI算力与安全性要求提升，单服务器对Flash的需求正呈现多节点、大容量的爆发趋势。
在通信网络数据高速通道上，高速交换机与光模块扮演着枢纽角色。中国高速交换市场预计2030年规模将达4800亿元，年复合增长率8.5%；高速交换需求场景逐步涌现，高速光模块出货量则将在2026年突破6500万支。技术层面，112G/224G SerDes速率持续演进，光电共封装（CPO）技术加速落地，为行业持续发展注入动能。
高速光模块结构框图（黄色部分为兆易创新可供产品）
兆易创新也深度参与这一进程。其32-bit MCU作为光模块核心管理主控单元，通过精准的温度、电压监控与信号调理，配合高可靠、小封装SPI NOR Flash存储的DSP固件，以及高精度模拟芯片，正在打破高端光模块的供应链瓶颈。
家庭通信终端市场也呈多元化发展态势。在政策引导下，50G PON正加速释放需求，小封装、高品质Flash产品和利基型DDR的需求逐步落地。其次，Wi-Fi 8应用预计2027-2028年逐步放量，兆易创新的高可靠Flash和丰富的产品系列可提供安心保障。最后，智能融合网关形态不断丰富，周边配套需求不断增加，对存储产品的需求也日益丰富，兆易创新基于市场刚需推出GD5F1GM9x等SPI NAND产品，并持续拓宽SPI NOR Flash产品系列。
创新驱动
两大旗舰Flash产品技术解析
为了更好地满足诸多应用场景对性能与可靠性的极致追求，兆易创新于近期推出了两款创新Flash产品：GD25NX系列xSPI NOR Flash与GD5F1GM9快启系列QSPI NAND Flash。莫伟鸿表示，兆易创新正通过前瞻性技术设计实现性能突破与能效优化。
GD25NX系列xSPI NOR Flash主要面向针对可穿戴设备、数据中心、边缘AI及汽车电子应用。该系列采用1.8V核心电压与1.2V I/O电压设计，可直接连接1.2V SoC，无需外部电平转换器，显著降低系统功耗并优化BOM成本。GD25NX系列提供64Mb和128Mb两种容量选择，满足不同应用对存储空间差异化需求。其支持八通道SPI模式，最高时钟频率为STR 200 MHz，DTR 200 MHz，实现高达400MB/s数据吞吐量。同时，该产品具备高能效比，其睡眠功耗低至0.8µA，读电流低至16mA@ STR 200MHz(x8)。并且，该系列支持ECC与CRC功能，具有20年数据保持时间、100K擦写周期，确保在极端环境下仍能维持数据完整性。
GD5F1GM9快启系列QSPI NAND Flash专门针对安防、工业、IoT等快速启动应用场景打造。该系列内置8bit ECC、3V和1.8V两种工作电压，以及Continuous Read、Cache Read、Auto Load Next Page等多种高速读取模式，为用户提供多种组合设计方案。与传统SPI NAND Flash相比，GD5F1GM9系列实现复杂ECC算法的并行计算，极大地缩短了内置ECC的计算时间。该系列3V产品最高时钟频率为166MHz，Continuous Read模式下可达83MB/s连续读取速率；1.8V产品最高时钟频率为133MHz，Continuous Read模式下可达66MB/s连续读取速率。这意味着在同频率下，GD5F1GM9系列的读取速度可达到传统SPI NAND产品的2~3倍。该设计优势可有效提高器件的数据访问效率，显著缩短系统启动时间，进一步降低系统功耗。
兆易创新正在深度融入通信产业。莫伟鸿表示，公司不仅提供解决方案，更是在为5G-A、AI服务器及光通信等关键领域构建安全、高效的国产化硬件底座。同时，兆易创新还在不断发挥自身的行业积累和创新能力，助力全行业加速迈向一个更高效、自主可控的万物智联时代。
