三星电子将于春节假期后率先启动全球首次 HBM4 大规模量产，并于 2 月第三周向英伟达交付首批产品，此举代表三星在 AI 存储器领域上实现关键突破，试图扭转上一代产品 HBM3E 的市场劣势，重塑高阶存储器竞争格局。
三星 HBM4 在性能上实现跨越式升级。透过创新采用 1c DRAM 制程与 4 奈米晶圆代工技术，资料处理速度达 11.7 Gbps，较 JEDEC 国际标准 (8 Gbps) 提升 37%，比上一代 HBM3E(9.6 Gbps)快 22%。单堆叠储存频宽达 3 TB/s，为前代产品的 2.4 倍；12 层堆叠结构提供 36GB 容量，未来可扩充至 48GB。
更关键的是，三星 HBM4 的低功耗设计可显著降低资料中心冷却成本，直击 AI 算力能耗痛点。
三星此次量产紧密配合英伟达新品节奏。三星已通过英伟达品质认证，其 HBM4 将用于 3 月 GTC 2026 大会亮相的 Vera Rubin AI 加速器。为符合顾客需求，三星大幅增加样品供应量，强化在英伟达供应链中的核心地位。
产业分析指出，HBM4 作为 AI 芯片的“燃料舱”，其供应能力将直接影响英伟达等巨头的旗舰产品发布。
三星凭藉全球唯一涵盖逻辑芯片、存储器、晶圆代工、封装的全链条能力，以“一站式解决方案”打造差异化优势。目前，平泽园区第四厂已启动新产线扩建，目标将今年 HBM 销量提升两倍以上。
产业链消息人士指出，三星以技术实力证明 HBM4 量产能力，在对抗 SK 海力士等对手时已占得先机。"
随着 AI 算力需求爆发，HBM4 量产将加速高阶储存市场洗牌。三星的先发优势不仅巩固自身技术领导力，更透过绑定重量级客户建构生态护城河。
分析师指出，三星此次量产时程落地，意味着三星可望在 2026 年 AI 芯片竞赛中掌控关键零件命脉，为自家股价注入一剂强心针。
