天眼查显示，武汉新芯集成电路股份有限公司近日取得一项名为“存储块及其制程方法、存储单元”的专利，授权公告号为CN117998855B，授权公告日为2025年10月17日，申请日为2022年10月27日。
本申请提供一种存储块及其制程方法、存储单元。该方法包括：提供一半导体基材；在半导体基材上开设多个字线孔洞，以将半导体基材上的每层存储子阵列层沿行方向分割成多列漏区、沟道和源区半导体条；利用字线孔洞在暴露出沟道半导体条的部分的至少一侧形成浮栅存储结构；在每一字线孔洞中分别填充栅极材料，以形成多个栅极条，每条栅极条至少有部分与每层存储子阵列层中的一条对应的沟道半导体条的部分在一投影平面上的投影重合，栅极条的部分、沟道半导体条的相应部分及夹设在二者之间的浮栅存储结构的部分、与沟道半导体条的相应部分相邻的漏区半导体条的部分和源区半导体条的部分，构成一个存储单元。该方法所制得的存储块的存储密度较高。
