据韩国媒体报道，SK海力士计划将原订在明（2027）年5月竣工的龙仁一期晶圆厂提前至明年2-3月启动试营运，三星电子也打算将平泽P4工厂的投产时间从明年第一季提前至今（2026）年第四季。
KB证券资料显示，截至今年2月，三星与SK海力士的主要客户存储器芯片需求满足率仅约60％，短缺程度较去年第四季加剧。
市场普遍预期此轮存储器供应紧张态势将持续至2027年。花旗集团预测，今年DRAM与NAND快闪存储器的供给增速分别为17.5％和16.5％，而需求增速则高达20.1％和21.4％。
此外，传三星新一代高带宽存储HBM4的报价约在700美元，SK海力士可能跟进这个价格，这个价格不只较HBM3E高出20％至30％，也较SK海力士去年8月供应英伟达的HBM4的价格（约在550美元左右），增涨了近3成。
市场预期，三星与SK海力士今年第一季营业利润可能达到30兆韩元。
稍早，美国存储器大厂美光科技（Micron Technology）宣布，计划在新加坡投资240亿美元扩建晶圆制造厂，以应对全球严重的存储器短缺，并加速产能提升。
