在手机等便携设备中，每一平方毫米的内部空间都堪称“黄金地段”。随着5G、多摄、大电池及散热系统的普及，手机厂商已成熟运用二合一发声单元，即采用一个发声单元干两样活，通过电路切换与声腔设计，使其既能输出大功率外放，又能满足私密通话需求。这一设计带来的直接收益为节省空间。然而，“硬件减法”并不等于“性能减法”，将功率相差好几倍的两种工作模式压在同一个单元上，对声学设计、功率管理与信号切换提出了严苛挑战：
功率动态范围悬殊：喇叭模式下输出功率可达1W~2W(驱动8Ω/6Ω负载)，瞬态更是会达到6W~7W，而听筒模式仅需约0.3W~0.5W(驱动16/24Ω负载)。
噪声敏感度剧增：听筒模式信号幅值较喇叭模式更低，对D类功放的PWM载波、电源纹波及地线噪声极为敏感，容易出现“滋滋”底噪。
切换瞬态冲击：喇叭/听筒模式切换时，MOSFET的电荷注入可能产生“噗”声爆破音，影响用户体验。
正是上述背景，催生了艾为对更简洁、更可靠的切换方案的探索——从外置分立MOSFET到集成SPST模拟开关，旨在用一颗低失真、高耐压的模拟开关，优雅地解决功率不匹配与切换噪声问题。
AW35331FDR主要特性参数
信号电压范围：-20V~20V，可远超自身电源供电电压（2.3V~5.5V）且支持负压传输
超低导通阻抗：典型值90mΩ，平坦度优异（小于1mΩ），适合高保真音频信号应用
支持1.2V IO逻辑电平，便于低压GPIO直接驱动
支持掉电保护，VCC=0V时，开关路径仍然保持高阻态，可隔离±20V的电压
支持大电流，可保证持续过电流能力＞1.5A，峰值电流可达2.5A以上
AW35331FDR典型应用图
AW35331正常应用外围仅需一颗VCC的滤波电容。
EN引脚内部本身没有上下拉电阻，如果采用外部GPIO来控制时，建议在外部预留一个弱下拉电阻，KΩ或MΩ量级均可，以保证GPIO为高阻态时EN有个稳定态；为保证EN引脚不受外部高频信号干扰，建议预留一个0.1μF滤波电容。
图1 AW35331FDR典型应用图
AW35331FDR的尺寸为DFN-6L 1.5mm × 1.2mm × 0.4mm，外围仅需一颗滤波电容。相比于传统分立器件方案，元器件个数直接由原来的10个缩减为2个，PCB占板面积也从25.52mm²减小至不到3mm²，占板面积节省88%。（实际效果以具体项目堆叠为准）
图2 PCB器件与占比面积对比
此方案主要优势
宽电压输入输出，支持正负压传输
音频链路实际应用中往往会因为寄生效应，比如实际的电路板（PCB）上存在着寄生电感和寄生电容，由此产生的负向过冲电压无法避免，开关在此过程中需要确保信号无损失的传输给后级负载，而不能因为无法传输负向电压而产生削波。AW35331支持正负压传输，可有效避免音频链路上的削波问题，以避免杂音现象的产生。
恒定的导通阻抗RON
开关处于音频通路上，需要应对快速变化的PWM调制波，为得到良好的THD+N性能，因此需要较快的动态响应和维持恒定的导通阻抗RON，保证△RON在全摆幅范围偏差最小。对于功率管而言，需要维持功率管VGS恒定，艾为采用Charge pump结构，通过实时采集背靠背NMOS源极的电压，在此基础上叠加固定的电压，以确保VGS电压的恒定，来实现开关导通阻抗的恒定。
衍生应用方案
AW35331FDR以其优异的性能，还可应用于双颗并联应用场景，使用2颗AW35331FDR可实现单刀双掷SPDT功能，用于传输正负压信号或者大电流应用，应用框图如下：
图3 双颗AW35331并联实现SPDT应用
