近日，国内存储芯片领军企业长江存储旗下投资机构长存资本，正式完成对锐立平芯微电子（广州）有限责任公司（以下简称“锐立平芯”）的战略投资。此次资本动作不仅打通了存储与特色工艺两大核心赛道的资源壁垒，更标志着国内在低功耗FD-SOI（全耗尽型绝缘体上硅）特色制造领域迈出关键一步。
锐立平芯由国家科技重大专项02专项技术总师、中国科学院微电子研究所叶甜春研究员担任董事长。作为资深半导体专家，叶甜春曾多次指出，面对外部技术限制，国内集成电路产业需要摆脱单一的路径依赖，通过“路径创新、换道发展”开辟新空间。在他看来，FD-SOI正是国内半导体产业实现差异化突破、绕开极紫外光刻（EUV）设备限制的重要“第二战场”。
FD-SOI技术通过在硅基底与晶体管沟道间引入超薄埋氧绝缘层，有效抑制了寄生电容与漏电流，在22nm、28nm等成熟制程节点上展现出卓越的低功耗与高射频性能。相较于追求极致微缩的FinFET路线，FD-SOI不仅工艺步骤更少、研发周期更短，还能通过背面偏置技术实现性能与功耗的动态调节。这些特性使其完美契合当前智能汽车、物联网、边缘AI及可穿戴设备等对高能效芯片的爆发式需求。
然而，长期以来全球FD-SOI量产产能高度集中于意法半导体、格芯等海外巨头，国内规模化自主制造平台处于空白状态。锐立平芯的成立与加速推进，正是为了补齐这一核心短板。依托粤港澳大湾区的产业集群优势，锐立平芯正全力搭建具备全球竞争力的FD-SOI量产工艺平台，致力于打造世界级集成电路制造基地，助力大湾区建设“国家集成电路第三极”。
长存资本的入局，为锐立平芯注入了强大的产业资源与制造管理经验。双方将在设备验证、材料供应及工艺迭代等方面展开深度协同，加速推动国产FD-SOI产线的建设与量产进程。未来，锐立平芯将面向车规级芯片、无线通信及低功耗MCU等市场，提供一站式流片服务。
在先进制程面临重重挑战的当下，FD-SOI特色工艺的国产化不仅是完善半导体制造生态的必由之路，更是中国芯片产业实现换道超车、走向自立自强的关键落子。随着资本与技术的深度融合，国产FD-SOI赛道正迎来前所未有的黄金发展窗口。
