近期又有科技网站乱传台积电有意跨足存储芯片，对于该议题，业界分别指出，完全是误会，从3大关键来看，应该罚乱传消息的人把张忠谋自传读一百次，该自传对存储芯片市场已有明确定见且是照妖镜，就算台积电近年应对客户需求来协助HBM4底部的 Base Die操刀或是后续应对客户要求3D DRAM的底层Controller/Logic 或是最擅长的 3DFabric / SoIC 混合键合（Hybrid Bonding）先进封装，皆并非所谓跨入存储芯片。
台积电3DFabric 联盟（TSMC 3DFabric Alliance）伙伴已包含三大存储芯片原厂美光（Micron）、三星存储芯片（Samsung Memory）、SK 海力士（SK hynix）以及一线载板厂等，产业分工明确。
业界说，台积电运用特殊成熟工艺搭配自身先进工艺提供逻辑制造服务，近年包含替客户协助HBM 的 Base Die，这块由台积电操刀合情合理，目前台积电与 SK 海力士、美光合作的正是这部分的“逻辑代工 + 先进封装（CoWoS / TSV）”也不代表台积电跨入存储芯片。
首先，业界也提及，若后续发展真正的 3D DRAM（Memory Cell 垂直堆叠）是指将 1T1C（一电晶体一电容） 或无电容架构的储存单元本身做立体垂直堆叠（类似 3D NAND，但 High-k 电容深宽比与材料难度极高）。 就算未来真的走向“逻辑芯片直接 3D 键合堆叠 DRAM 单元”，储存阵列（Cell Array）也是存储芯片厂的专业，台积电要负责的依然是底部的 Controller/Logic 或是最擅长的 3DFabric / SoIC 混合键合（Hybrid Bonding）封装，而不是跳下来自己生产存储芯片。
其次，台积电创始人张忠谋的独特商业模式已确定台积不会去和客户还有合作伙伴竞争，业界说，张忠谋自传也已明确提及过去产业存储芯片的教训，过往德碁深陷 DRAM 崩盘的巨额亏损，施振荣先生请托张忠谋接手。台积电以换股方式并购德碁（以及后来的世大）接手的第一件事，不是继续经营 DRAM，而是以最快速度把德碁的 8 英寸厂改造成逻辑代工线。张忠谋果断退场、将产能转为纯晶圆代工与特殊工艺，就是深知 DRAM“赚一年、赔三年”的血泪教训，自传对于存储芯片产业的点评已有明确论述。
业界说，依据自传张忠谋深知标准型 DRAM 缺乏定价权，受制于严酷的“资本支出与报价暴跌”恶性循环。如果台积电被 DRAM 的设备折旧与库存跌价拖累，先进逻辑工艺的研发根本不可能有稳定的现金流，就算如今存储芯片市况转好台积也不可能因短期利益牺牲长期利益。
第三，值得注意的是，台积电先进工艺的长期毛利率目标在 53% 以上。DRAM 具备强烈的景气循环（Commodity Cycle）特性，即便高阶客制化存储芯片也是高资本、高折旧且毛利起伏巨大的业务。台积电若把产能与 CapEx 拿去铺 DRAM Cell 产线，只会大幅稀释 ROE与盈利率。
