NAND遭逢25奈米难关　美光整合ECC化疑虑

随制程技术下探25奈米，储存型快闪(NAND Flash)记忆体将面临读写次数短缩的问题，必须提升错误码修正(ECC)能力来化解疑虑。对此，美光(Micron)提出不同产品设计架构，将自行开发的ECC晶片与NAND Flash封装在一起，藉此强化NAND Flash方案使用寿命，同时减轻控制晶片开发商的发展负担。  

美光资深亚太区区域市场经理葛玉中表示，ClearNAND是解决NAND Flash制程微缩挑战的权宜之计。
美光NAND解决方案部门副总裁Glen Hawk表示，相较于控制晶片中其他的演算法，ECC功能与NAND Flash的效能最为密切，因此美光跳脱以往NAND Flash厂商仅专注于晶圆技术的思维，自行研发ECC单晶片，藉由改变产品设计的方式，因应制程进入25奈米世代后所面临的挑战。  

美光资深亚太区区域市场经理葛玉中进一步指出，这种名为ClearNAND的产品系将控制晶片中的ECC演算法单独开发成一颗单晶片，再透过多晶片封装 (MCP)技术与NAND Flash整合。如此一来，控制晶片设计业者就毋须为了解决NAND Flash制程微缩的挑战而绞尽脑汁，甚至拖长晶片上市时程。  

原本NAND Flash系统是由控制晶片和NAND两个独立的元件所组成，并透过汇流排互相传递讯号。虽然先进制程为NAND Flash带来低成本和高容量的优势，但缩小的晶格却减少电子可活动的空间，使彼此干扰的频率增加，导致NAND Flash寿命缩减，因而须透过ECC功能来管理晶格内的电子讯号。  

其实，早在ClearNAND之前，嵌入式多媒体记忆卡(eMMC)也采用相似的概念，将部分控制晶片功能封装在NAND Flash之中。不过，除ECC功能之外，eMMC还一并纳入坏轨管理(Bad Block Management)、平均抹写储存区块次数(Wear Leveling)和指令管理功能。葛玉中说明，eMMC将较多功能与NAND Flash整合，确实对系统效能有所帮助，但ClearNAND对功能整合的取舍相对精简，可避免NAND Flash封装内产生过多的负担。  

美光估计，2014年采用ClearNAND的产品可望超过纯粹使用NAND以及类似eMMC涵盖完整晶片功能的NAND产品，在NAND Flash市场达近50%的市占率。葛玉中表示，ClearNAND将是第一个进入市场的25奈米NAND Flash产品，锁定企业伺服器、平板装置，以及可携式媒体播放器等应用市场，目前已经提供样本，预计在2011上半年开始量产。  

值得注意的是，ClearNAND中的ECC技术是来自美光的控制晶片开发团队，主要研发应用于控制晶片中的矽智财(IP)，其中包括ECC、韧体及讯号处理功能。但葛玉中强调，此举并不代表美光将抢进控制晶片市场，美光将以授权矽智财的模式与控制晶片商合作。Hawk也表示，使用ClearNAND的原始设备制造商(OEM)仍可依产品需求，与第三方控制晶片开发商合作。