台媒：芯片制造商拟提高QLC NAND产量

集微网消息，据业内消息人士透露，由于个人电脑（PC）和数据中心的需求强劲，全球主要的NAND闪存供应商准备在今年年底至2022年之间提高 QLC NAND产量。

digitimes报道指出，消息人士称，随着OEM越来越多地在其产品中采用QLC SSD，芯片供应商将增加用于PC的QLC NAND产量。与此同时，数据中心应用的QLC NAND需求前景广阔，这也鼓励了主要芯片供应商加强在该领域的部署。

从各大厂商的动作来看，英特尔已经推出了面向企业存储应用的144 层 QLC固态硬盘系列产品，并于今年上半年开始面向数据中心应用出货。英特尔采用浮栅技术制造的QLC NAND依然是该领域的领导者。

美光已将其176层 TLC NAND的生产良率提高到相当可观的水平，同时计划在今年年底推出176 层QLC NAND 。

三星电子已进入176层V-NAND的客户验证阶段，并已启动200层以上3D NAND的开发。另外，铠侠和西部数据也将在2022年开始量产 QLC NAND。

（校对/Yuki）