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这款芯片将充分释放DDR5内存的巨大潜力

来源:爱集微

#DDR5#

01-05 11:35

集微网报道 随着各大存储厂商的相关产品相继上市,内存正式步入了DDR5时代,而数据中心将成为DDR5应用的重要场景。“一方面,随着数据量越来越大,人工智能、机器学习的使用日益增加,边缘计算持续增长,这将带来内存和I/O带宽的更高需求;另一方面,数据加速向云迁移,联网的设备日益增多,也带来数据安全威胁的日益上升。”Rambus大中华区总经理苏雷认为数据中心的快速增长正在驱动内存技术的需求不断发展。

DDR5主要优势就是提供更大的容量和更高的带宽。不过,Rambus接口芯片部门总经理Chien-Hsin Lee指出,要跟上服务器技术的发展,DDR5还要满足其他四项要求:一是保持相同的内存读取粒度(64字节的高速缓存行);二是实现相同或更好的可靠性、可用性和可服务性(RAS)功能;三是维持在冷却功率范围内(~15W / DIMM);四是避免过长的启动时间。

Rambus近期推出了第二代DDR5 RCD(寄存时钟驱动器)芯片,不但数据传输速率可达5600MT/s,还可以助DDR5内存模块(RDIMM)供应商应对上述挑战。

这款芯片具有几大亮点:在将DDR5数据速率提高了17%的同时,降低了延时和功耗;为服务器主存储器提供了5600MT/s DDR5 RDIMM的关键支持。Chien-Hsin Lee认为,该产品展现了Rambus在下一代服务器内存接口芯片领域的持续领先地位,确保在开发过程当中,RDIMM将不会成为制约技术发展的瓶颈。

他进一步指出,DIMM内存接口芯片减少了负载数量,让整体的容量和性能得到提升,但如果不做任何系统或技术上的改进,这样的操作可能会带来相应带宽的牺牲,“Rambus通过相关技术非常好地解决了这个问题,因此在提升内存容量的同时,带宽也得到了很好的提升。”

通过对比DDR5 DIMMs与DDR4 DIMMs,可以看到性能的全面提升,无论是通道架构、CA总线、突发长度方面,DDR5 DIMMs的进步都非常明显。

尤其重要的是,DRAM芯片密度得到了大幅增加。Chien-Hsin Lee表示,DDR4 SDP可达16Gb,DDR5则提升至64Gb,由此带来DIMMs方面非常重要的容量提升,由DDR4的64GB提升至DDR5的256GB。另外,DDR4实现了8 DRAM的堆叠,而通过最新的堆叠技术,DDR5可以实现16个DRAM的堆叠。“最终DDR5 DIMM的容量甚至可以达到TB级,这是一个非常大的优势。”

Chien-Hsin Lee指出Rambus芯片针对服务器的三个设计:一是引入了一个新的PMIC,将电源管理从主板转移到DIMM本身,更好地根据具体需求调节功率;二是CA总线引入I3C-HUB,使得带宽能够提高10倍;热传感器的使用,让系统自主决定输出的性能和功率。

对于电源部分设计的改动,Chien-Hsin Lee解释道:“首先是降低了VDD电压以顺应市场的需求,并且将PMIC从主板向DIMM迁移之后,可以很好地控制噪音以及一些其他问题。”

“在设计改动、包括VDD降低之后,确实给我们整体的设计带来一些挑战。为了保持性能不变或进一步提升,Rambus一直在均衡器技术方面有强大的优势。与DDR4进行对比,非常重要的是,DDR5引入了决策反馈均衡(DFE)技术。DFE和第二代 RCD技术的使用可以很好地帮助我们解决这些问题,在降低电压的同时保持相对比较好的性能。”他强调。

随着国内的模组厂商开始陆续出货DDR5产品,Rambus的RCD芯片所受的关注正在不断增加。苏雷表示:“作为知名的IP供应商,Rambus在实现高性能系统方面拥有30年的历史。其提供的DDR5内存接口芯片,以高性能高设计裕度可以满足模组制造商在设计制造DDR5时面对的更高信号完整性和电源完整性挑战。”

他最后表示:“围绕数据中心中很多关注热点,比如高速SerDes接口传输、高带宽低功耗HBM、CXL数据中心互联,Rambus和中国的广大合作伙伴已经展开紧密的技术沟通和合作。在数据中心的安全性方面,我们对静态数据、动态数据安全保护都有着专门的安全产品方案,可以为数据中心安全性保驾护航助力。总体而言,我们会深耕于中国市场,通过不断加大投入和将最新技术带给中国伙伴,坚持‘In China, for China’。”

(校对/Andrew)

责编: 轶群

李延

作者

微信:Glxy523

邮箱:lixy@lunion.com.cn

作者简介

集微网记者,关注半导体投资、晶圆制造、IC设计、AI等领域

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