苏州晶测MEMS探针卡发展与应用

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苏州晶测MEMS探针卡发展来由

苏州晶测从2008年之初怀揣着各项技术能力在中国半导体测试介面开发应用上与各家同行角逐,更远大的梦想是将足迹遍及全中国半导体测试领域的介面应用,为国内TOP10的IC设计业者提供测试介面硬件的开发服务,具备拥有各式测试机测试介面硬件开发的硬实力;细间距尺寸不断向极限发展、高层数物理极限的突破以及跨介面电性优化技术的优势,但在晶圆测试的技术壁垒上,自身的介面板的各种技术优势,如能搭配高性能探针的结合硬件开发,综合测试广泛应用,取代旧有的探针卡测试应用方式以及提高晶片功能性测试覆盖与效益方案,将会是苏州晶测作为介面开发商在晶圆测试领域上的新契机。

基于上述的综合考量后,苏州晶测决定在更接近晶圆凸块或是RDL分布点的介面上开发自有探针技术,自2015年开始涉足探针技术的自研开发,调研市场上各类型探针的应用与相关的参数,各类型探针的优点结合与缺点规避,以及可能的失效因素不断分析材料,调整探针结构与制作方式,最终以数款不同间距应用的MEMS探针作为作为探针卡的推展,应用领域可涵盖70~80%的晶圆测试应用,从工程验证,批量生产至大量生产,所有的经验累计循环迭代不断的优化自研MEMS探针,提炼可耐受不同的测试环境,探针卡硬件开发用途更能够满足多功能性的测试,高测试效益,减少程式开发的繁琐分类化,降低测试成本,缩短晶片测试时间,加速产品上市推广于市场。

苏州晶测MEMS探针卡三大领域应用

苏州晶测的MEMS探针卡快速成长的三大应用领域,其一是智慧型手机。

在智慧型手机方面主要测试的晶片包括有,应用处理器(AP)、射频晶片(RF)以及电源管理晶片(PMIC),AP晶片的成长动能又主要来自5G智慧型手机的推陈出新,而AP晶片又属于高难度开发的测试介面应用,从四核至八核甚至到十核,融入了ISP、DSP、MODEM、LPDDR PHY与AI视觉计算等IP功能,外设管脚数随着手机通讯传输以及智能化增长,电源管理介面的低压高功耗、低漏电要求,所用的多晶粒MEMS探针卡高达三万多将近四万根探针使用测试,探针卡的水平共面性与高电流均流、恒流、数字讯号高吞吐的并行串扰、低漏电、低压差等电性传输要求更严谨,而苏州晶测的MEMS探针卡恰如其分或更甚一筹的满足这样的测试要求,优势不仅在于多管脚数的接触数量,而在于多管脚数接触的稳定性、高耐用性、高寿命性等综合效益。

其二在HPC应用方面,随着通讯技术进入5G世代,带动AI生态发展,如元宇宙、电动车、智慧制造…等等各项应用,这些生态发展均需植基于半导体产业,其中尤以先进晶圆制造与3D IC封测技术引领风潮,而这样的生态发展主要在于局端以及终端应用的超级电脑、云端运算、伺服器、边缘运算以及自驾车系统等的核心处理能力的高效能运算(HPC)蓬勃发展,苏州晶测所推出全系列MEMS混针式探针卡,可广泛用于异质封装的硅中介层或是微凸块的细间距应用,提供HPC各类型高效运算、高速传输、大电流之异质整合类型的多样式晶片进行完善D2D测试,在可预见的未来,HPC的应用发展在测试介面的开发上,MEMS探针卡将会是主流的应用测试方案。

其三在存储应用得SSD快闪记忆体与利基型DDR记忆体,苏州晶测MEMS探针卡,完整的探针产品布局导入混针应用,可提供数款混间距的测试应用,在需要高速传输的数字I/O以及低压高功耗传输的不同间距上应用不同类型的MEMS探针,既满足高速传输不失真,又可保障高功耗的PI效能,完整满足晶片综合功能性测试的工作状态与良率,再结合材料与结构性的优化,不同的探针类型同时间进行的接触力以及接触缓冲的水平共面性都能够达到一致性与最佳化。

苏州晶测MEMS探针卡混针技术All In House

苏州晶测经多年研究微间距及多样式信号测试所需之混针式探针卡已具基础,透过AI (人工智慧)设计优化将混针式探针卡的设计时程成功缩短50%,并导入AI智慧制造,成功地推出自制MEMS探针的混针式探针卡应用于历经各式高频、高速、数字、模拟、调变等讯号从测试机台,透过介面板,再经由巨量微间距探针,衔接到晶圆,藉以精准鉴别晶粒品质,达到讯号及电流的测试。测试期间,晶片测试可能还须历经摄氏150度高温跨入摄氏负40度的低温之三温严苛测试。最终,苏州晶测的MEMS混针式探针卡也因为基于All In House先进的设计、用料、生产技术,造就出产品的强悍性能,所以即便处于极端的高温与低温环境下,历经百万次测试,仍能保持良好的测试品质。

展望未来,摩尔定律的发展极限待突破之时,异质整合的先进封装之微间距及多样式信号的晶圆测试需求大势所趋,苏州晶测期望在中国国内半导体测试产业里异军突起,将新推出的混针式技术导入多款MEMS探针卡产品,与客户携手迎接半导体异质整合新时代。

责编: 爱集微
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