百思特达氮化镓半导体项目预计于8月底实现部分投产

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辽宁省盘锦高新技术产业开发区上半年总体工作纪实显示,百思特达氮化镓半导体项目将于8月底实现部分投产。

来源:百思特达官网

据悉,百思特达氮化镓半导体项目总投资3亿元,占地面积125亩,总建筑面积51302.28平方米,项目包括2栋氮化镓外延片及芯片生产车间、1栋芯片封装及应用产品生产制造车间、1栋成品库房、1栋制氢站、1栋研发中心及综合管理用房等建设内容。

通过项目实施,该企业可增加10条氮化镓外延生产线。投产后,企业可实现年产10万片氮化镓外延片和10亿颗氮化镓芯片的产能提升。

官网消息显示,辽宁百思特达半导体科技有限公司成立于2019年8月,注册资金5000万元,专业从事氮化镓外延片、氮化镓芯片以及石墨烯薄膜的研发、生产、应用、销售。

(校对/姜羽桐)

责编: 韩秀荣
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