【成电协 · 会员行】优秀的第三代半导体氮化镓芯片公司——氮矽科技

氮化镓（GaN）属于第三代半导体，又被称为宽禁带半导体，和第一代的硅（Si）以及第二代的砷化镓（GaAs）等前辈相比，其在特性上有突出的优势：由于禁带宽度大、导热率高，氮化镓器件可在200°C以上的高温下工作，能够承载更高的能量密度，可靠性更高；较大的禁带宽度和绝缘破坏电场，使得器件导通电阻减少，有利与提升器件整体的能效；电子饱和速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器件高速地工作。

“成电协·会员行”专题内容团队

今天走进的是

深耕第三代半导体氮化镓芯片设计的优秀会员企业

——氮矽科技。

成都氮矽科技有限公司(以下简称氮矽科技)成立于2019年，位于成都市高新区，是国内首批成立的氮化镓设计公司，致力于打造属于中国的氮化镓国际一流品牌。氮矽科技主要研发基于第三代半导体材料氮化镓（GaN）的芯片，专注于氮化镓功率器件及其驱动芯片的设计研发、销售及方案提供，并通过国内首款独立研发与制作的GaN Power IC实现氮化镓在电力电子领域的革命。与此同时，氮矽科技还将聚焦手机快充、车载充电(OBC)、5G基站电源模块三大氮化镓应用市场的高端技术发展，不断开发完善可靠的应用解决方案。2021年底，氮矽科技入选电子信息领域领先媒体《电子工程专辑》评选的中国工程师最喜欢的十大充电器氮化镓芯片厂商。

耕耘三年，成绩斐然

据氮矽科技首席运营官刘家才先生介绍，出于提高器件的可靠性安全性的理念，氮矽科技目前已发布推出驱动芯片DX1001、传统封装功率器件产品DX6507X、DX6510X、DX6515X、先进封装功率器件产品DX6507E、DX6510E、先进封装合封产品DX6521E等多样化产品，均为团队自主研发。

值得一提的是，DX6510D（650V氮化镓功率器件4x4mm）曾获得2021中国IC设计成就奖之年度最佳新材料器件奖。“DX6510D是一款全球最小650V/160mΩ氮化镓功率器件，采用了为氮化镓量身定做的全新自研板级封装、双面散热，散热能力远超同尺寸DFN”，刘家才先生介绍到。

2022年1月，氮矽科技推出国内领先的80V耐压的氮化镓半桥驱动DX2104C。这是自2020年3月氮矽科技推出氮化镓低侧驱动器DX1001以来，氮矽科技在氮化镓驱动芯片领域的又一重大突破。

氮矽科技DX2104是一颗增强型氮化镓器件专用的半桥驱动器芯片， 具有25ns的快速传播延迟时间，1ns优秀的传播延迟匹配。芯片内置供电欠压锁定保护功能，具有低静态电流。驱动器具有分栅输出，方便独立调节开通和关断速率，最高工作频率可达数MHz。DX2104采用DFN4*4-10封装，散热片外露，具有很强的散热能力。DX2104可用于半桥或全桥转换器、同步降压转换器、无线充电器、D类功放、步进电机驱动等多种应用领域。

行业领先的研发团队

氮矽科技的创始人兼CEO的罗鹏博士，毕业于德国勃兰登堡州科技大学，博士后就职于德国柏林费迪南德布朗-莱布尼茨研究所，同时师从欧洲氮化镓IC设计泰斗、IEEE终身会员Wolfgang Heinrich教授和IEEE fellow Matthias Rudolph教授。精通氮化镓器件物理特性，留学期间搭建的GaN HEMT陷阱效应模型被学术界以及产业界广泛采纳作为标准模型并作为团队核心成员参与设计军用级别氮化镓超高稳健性低噪声放大器。拥有超过5年的第三代半导体氮化镓IC的研发工作经验，亲身参与过多个世界领先的氮化镓产品的研发，拥有成熟的开发思想和自主的技术。在国际顶级期刊和知名会议发表过十余篇科技论文并作为共同发明人拥有两项相关专利。

据氮矽科技资深GaN器件总监刘勇博士介绍，氮矽科技初创团队由拥有欧美和国内氮化镓领域超过13年的研发从业经验者组成。现有研发团队以博士研究生为主，研发人员占比近70%。

多渠道合作共赢，共谋产业新模式

目前，氮矽科技已和三星、三安、海信、vivo、长虹等多家优质主体达成合作关系，同时得到核心技术合作伙伴“电子科技大学功率集成技术实验室”的全力支持。其中，氮矽科技联合三安集成打造了Corporation IDM 战略合作模式，在选择三安作为氮化镓功率器件代工的重要合作伙伴之后，氮矽科技与三安在氮化镓功率器件的设计研发和生产上携手砥砺前行，实现氮化镓功率器件从设计到客户量产的全产业链自主完成。

刘家才先生最后讲到：“在迈向碳中和的道路上，社会需要更加高效地储存和使用清洁能源。氮化镓以其优异的高频率、低导通电阻等特性，帮助电源变换系统实现优异的功率密度和卓越的系统效率，使其未来必将在新能源汽车、光伏发电等场景中发挥关键作用。氮矽科技在此愿景中预见了良好的机会，并为此做了充足的准备，愿与志同道合的伙伴们一同点亮中国第三代半导体广阔前景。”