格恩半导体获创合鑫材基金投资,聚焦化合物半导体

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近日,安徽格恩半导体有限公司(以下简称“格恩半导体”)获创合鑫材基金独家投资。

格恩半导体成立于2021年,主营高端化合物半导体外延材料、芯片及器件的研发、生产和销售,专注于“高效率激光芯片、高功率LED芯片、高灵敏探测芯片、高性能功率芯片”等产业化核心技术,目前已具备大功率半导体激光器、紫外LED、高功率LED批量生产能力。

据悉,格恩半导体团队凭借在化合物半导体,尤其是GaN材料领域多年的研发和生产经验,攻克了一系列技术难点,包括设计非对称垒结构,通过参数控制、机台预处理、特殊掺杂改善铟析出、控制缺陷密度、芯片倒装结构设计、改善腔面制作技术、芯片级共晶焊接等,实现了蓝绿光激光芯片的量产。

今年6月,安徽格恩半导体项目一期在安徽省六安市金安区点火投产。(校对/姜羽桐)

责编: 姜羽桐
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