1月31日，三星电子在去年第四季度经营业绩电话会议上表示：“三星第二代3nm GAA工艺将于2024年如期量产，多数移动芯片、HPC客户都表示关注。与之前的技术FinFET工艺相比，具有性能和功耗效率，特别具有设计灵活性的优点。”
此前三星宣布第二代3nm GAA工艺将会在2024年量产。三星表示，第二代3nm GAA工艺将加入MBCFET架构，使得3nm芯片的面积减少35%、性能提高30%、功耗降低50%。
去年6月30日，三星电子宣布3nm芯片量产，成为全球第一家量产3nm芯片的厂商，但是三星第一代3nm GAA工艺良率较低，去年并没有获得多少客户订单。为了提高3nm良率，三星与美企Silicon Frontline Technology公司进行合作，希望通过对方的静电放电预防技术，帮助三星晶圆厂改进前端工艺和芯片性能。
