北方华创“半导体工艺腔室和半导体工艺方法”专利公布

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天眼查显示,北京北方华创微电子装备有限公司“半导体工艺腔室和半导体工艺方法”专利公布,申请公布日为5月26日,申请公布号为CN116162920A。

图片来源:天眼查

专利摘要显示,本申请提供一种半导体工艺腔室,包括腔体和设置在腔体中的基座,基座用于承载晶圆,半导体工艺腔室还包括控制装置和基座驱动组件;基座驱动组件与基座固定连接,基座驱动组件用于驱动基座转动以及上升或下降;控制装置用于控制半导体工艺腔室对位于基座上的晶圆进行多步半导体工艺,并在每相邻两步半导体工艺之间控制基座驱动组件驱动基座带动晶圆转动预设角度。

据悉,在本申请中,旋转驱动模块能够在每相邻两步半导体工艺之间驱动芯轴带动基座转动预设角度,从而每沉积一定厚度薄膜后将晶圆旋转预设角度并再次进行薄膜沉积,进而保证晶圆表面沉积薄膜的均匀性。本申请还提供一种半导体工艺方法。(校对/刘沁宇)

责编: 赵碧莹
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