随着高带宽存储器（HBM）工艺设备的商业化，半导体设备公司正在加速研发（R&D）工作。
10月11日行业消息称，韩美半导体（Hanm）最近推出了专为HBM设计的键合机设备，名为“Dual TC Bonder Griffin”。HBM通过垂直堆叠DRAM内存芯片来提高性能，该键合机设备通过热压缩精确地堆叠DRAM并保护数据路径。
STI公司已与一家全球半导体公司签订了HBM专用设备的供应合同，设备名为“Flux Reflow”（助焊剂回流焊）。Flux Reflow设备可产生导电尖峰，在半导体焊点和倒装芯片回流过程中传输电信号。STI供应的Flux Reflow设备可以减少助焊剂造成的污染，保持腔室内的最佳条件。
设备商YEST最近还商业化了专为HBM设计的晶圆压制设备。这种晶圆压制设备用于HBM的“底部填充”过程，改善了半导体性能。填充过程涉及在堆叠DRAM后均匀固化绝缘树脂，从而消除DRAM之间的杂质，并防止外部因素如震动和湿度造成的损坏。
据悉，SK海力士目前占据全球HBM市场的50%以上份额，三星正迎头追赶。近日三星电子副总裁兼存储部门DRAM开发主管Sangjun Hwang宣布，三星开始向客户提供高带宽内存HBM3E样品，且下一代产品HBM4正在开发中，目标2025年供货。
（校对/孙乐）
