2月20日，中国台湾“国研院半导体研究中心”宣布，与台积电合作开发的“选择器元件与自旋转移力矩式磁性存储整合”（Selector and STT-MRAM Integration）技术，于2023年12月全球顶尖电子元件会议IEDM（International Electron Devices Meeting）中发表，并获选为Highlight Paper，成为全世界极少数成功开发出高密度、高容量的独立式STT-MRAM制作技术的团队。
由于STT-MRAM具备高速度、高可靠度、小体积、省电等优点，十分适合应用于云端计算与物联网上进行大量的数据储存。
据悉，台积电三十几年来一直致力科技创新及研发，重视技术自主，近年研发经费投入平均是营收的8%，2020年研发经费首度超过1000亿元新台币，未来随着业务不断成长，研发经费会越来越多。
（校对/张杰）
