天眼查显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司“光电传感器及其形成方法、电子设备”专利公布，申请公布日为2024年2月20日，申请公布号为CN117581373A 。
一种光电传感器及其形成方法、电子设备，所述光电传感器包括：基底，基底具有受光面，且基底包括感光像素区，感光像素区包括多个呈矩阵分布的像素单元区；多个陷光槽，位于像素单元区的部分厚度的基底中，且位于基底的受光面一侧，所述多个陷光槽沿行方向和列方向呈矩阵分布，行方向和列方向相垂直，在行方向上的相邻陷光槽相连通，在列方向上的相邻陷光槽相连通，陷光槽的侧壁围成多个邻接的凸台，凸台的形状为八棱台。像素单元区中，每个凸台的八个侧面以及顶面都可以作为光传感器的感光面，显著增加了光电传感器的感光面积，有利于提高光电传感器的光局域能力，从而提升光电传感器的感光性能。
