中芯国际“光电传感器及其形成方法、电子设备”专利公布

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集微网消息,天眼查显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司“光电传感器及其形成方法、电子设备”专利公布,申请公布日为2024年2月20日,申请公布号为CN117581373A 。

一种光电传感器及其形成方法、电子设备,所述光电传感器包括:基底,基底具有受光面,且基底包括感光像素区,感光像素区包括多个呈矩阵分布的像素单元区;多个陷光槽,位于像素单元区的部分厚度的基底中,且位于基底的受光面一侧,所述多个陷光槽沿行方向和列方向呈矩阵分布,行方向和列方向相垂直,在行方向上的相邻陷光槽相连通,在列方向上的相邻陷光槽相连通,陷光槽的侧壁围成多个邻接的凸台,凸台的形状为八棱台。像素单元区中,每个凸台的八个侧面以及顶面都可以作为光传感器的感光面,显著增加了光电传感器的感光面积,有利于提高光电传感器的光局域能力,从而提升光电传感器的感光性能。


责编: 赵碧莹
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赵碧莹

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