武汉新芯“一种存储器件的制造方法及存储器件”专利公布

集微网消息，天眼查信息显示，武汉新芯集成电路制造有限公司“一种存储器件的制造方法及存储器件”专利公布，申请公布日为2024年2月27日，申请公布号为CN117615578A。

本发明公开了一种存储器件的制造方法及存储器件，制造方法包括：提供半导体基材，半导体基材包括衬底和多个栅极结构，多个栅极结构的一部分位于存储区域，每个栅极结构在第一方向上的两侧的衬底中分别设置源极和漏极；在半导体基材上覆盖第一层间介质层，并在第一层间介质层中形成接触窗结构，接触窗结构包括源接触窗结构，每个源接触窗结构沿第二方向延伸，且与第二方向上同一行的多个源极连接；即本申请通过设置接触窗结构，能有效引出对应的源极和漏极，使得布线空间增大，降低金属布线精度要求，提高了制造效率。