美国商务部更新半导体出口管制新规 当地时间4月4日生效

集微网消息，近日美国商务部更新半导体出口管制新规，包括加入对EUV掩膜、刻蚀机等制造环节设备的管控，新增对中国澳门地区及D:5组地区采取“推定拒绝”的政策，以及重新澄清AI芯片许可证及其例外情况的适用范围等，预计新规于美国当地时间4月4日生效，对新规的评议截止日期为4月29日。

据浙商电子等研报显示，美国BIS更新的对华出口管制新规的核心变化包括：

第一，新增管制EUV掩膜基板。尤其是为EUV光刻设计的掩膜基板被正式纳入了相关的出口控制类别，并且需要遵守相应的出口许可要求。

第二，更新特定地区出口政策。对于中国澳门或国家组D:5目的地的出口、再出口或国内转移，需要获得出口许可证，其中包括最终用途和最终用户的审查，并采取“假定拒绝”政策。

第三，明确部分技术关键参数。对于集成电路的“总处理性能”（TPP）和“性能密度（PD）”定义及计算方法进行进一步明确。其中，TPP是基于MacTOPS（百万次乘积累加操作每秒）的理论峰值计算，性能密度是TPP除以适用的芯片面积。

第四，补充整机产品的限制。计算机、电子组件和组件若包含特定性能参数的集成电路，比如总处理性能或性能密度超出范畴，则需要接受出口管制。

第五，增加逐案审查政策。对包括AI在内的高性能芯片和相关制造技术的出口，采取“逐案审查”政策，并将考虑技术级别、客户身份、合规计划和合同的规范性等多种因素。

其中，新规对高性能AI芯片的界定是关键重点。

中泰电子的研报显示，美国商务部对高性能芯片的定义（3A090）标准，仍是基于2023年10月的更新，即：（1）TPP（注：总处理性能）≥4800；（2）TPP≥1600且PD（注：性能密度）≥5.92；（3）2400≤TPP＜4800且1.6≤PD＜5.92；（4）TPP≥1600且3.2≤PD小于5.92。

同时，其多项重要更新还包括：添加3A001.z段落，新增对MMIC放大器和离散微波晶体管的控制，特定用于民用电信应用的设备除外；对于半导体设备（3B001）的修订，对分子束外延生长设备、化学气相沉积（CVD）设备、原子层沉积（ALD）设备等增加了新的控制措施；澄清某些条款，以确保出口、再出口或国内转移物品符合特定许可例外的条件等。

另外，新规还提及关于先进计算设备、超级计算机和半导体最终用途的额外出口控制，即对向中国出口芯片的限制也适用于包含相关芯片的笔记本电脑等。

此前中国商务部发言人对“美国修订半导体出口管制措施”回应称，中方注意到，美方修订了半导体出口管制措施，这距离美上次出台措施仅半年不到。包括美国企业在内的各国企业都希望有一个稳定、可预期的经营环境。美方泛化国家安全概念，肆意修改规则，加严管制措施，不仅给中美两国企业开展正常经贸合作设置了更多的障碍，施加了更重的合规负担，还给全球半导体产业造成了巨大的不确定性。这严重影响中外企业开展互利合作，损害其正当合法权益。中方对此坚决反对。

中国商务部发言人表示，半导体产业高度全球化，经过数十年发展，已形成你中有我、我中有你的产业格局，这是市场规律和企业选择共同作用的结果。中国是全球最大的半导体市场。中方愿与各方一道，加强互利合作，促进全球半导体产业链供应链的安全与稳定。