华虹宏力“超结MOS器件”专利公布

集微网消息，天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“超结MOS器件”专利公布，申请公布日为2024年4月5日，申请公布号为CN117832256A。

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种超结MOS器件。超结MOS器件包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区的下表面与第一导电类型衬底层的上表面接触；第二导电类型掺杂柱，第二导电类型掺杂柱位于第一导电类型漂移区的两侧；其中，第二导电类型掺杂柱的纵向长度小于第一导电类型漂移区的纵向长度；沟槽栅，沟槽栅位于第一导电类型漂移区上；沟槽栅的两侧由上至下依次形成有第一导电类型源区和第二导电类型体区，沟槽栅的下端伸入第一导电类型漂移区中；第二导电类型重掺杂埋层，第二导电类型重掺杂埋层设于第一导电类型漂移区中，第二导电类型重掺杂埋层的上表面与沟槽栅的下表面接触。