基本半导体“一种沟槽型碳化硅MOSFET器件结构及其制备方法”专利获授权

作者：爱集微 04-19 15:41

来源：爱集微 #基本半导体#

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集微网消息，天眼查显示，深圳基本半导体有限公司近日取得一项名为“一种沟槽型碳化硅MOSFET器件结构及其制备方法”的专利，授权公告号为CN117238972B，授权公告日为2024年4月16日，申请日为2023年11月16日。

本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种沟槽型碳化硅MOSFET器件结构及其制备方法。该结构包括：从下至上依次设置的n+型碳化硅衬底、n‑型漂移层、n型电流传输层；在n型电流传输层的顶部两侧分别从外至内依次设有p+型基区、n+型源区以及栅氧化层，栅氧化层包裹有多晶硅栅；栅氧化层、p+型基区以及n+型源区的底部设有p+型保护区；n型电流传输层的上方设有隔离介质层，隔离介质层的两侧分别设有接触电极，隔离介质层的上方设有源电极，n+型碳化硅衬底的背面设有漏电极。通过上述方式，本发明能够改变器件沟道电流的方向，使得沟道电流方向上没有设置沟槽保护结构，通过引入电流传输层减少沟槽保护结构对沟道电流的影响，获得更低的比导通电阻。