基本半导体“一种离子注入沟道效应抑制方法”专利获授权

天眼查显示，深圳基本半导体有限公司近日取得一项名为“一种离子注入沟道效应抑制方法”的专利，授权公告号为CN117371258B，授权公告日为2024年4月30日，申请日为2023年12月8日。

本申请公开了一种离子注入沟道效应抑制方法，所述方法包括确定屏蔽层厚度，仿真获得形成所述屏蔽层的氧化仿真参数；对确定厚度的所述屏蔽层进行离子注入仿真，获得离子注入的注入仿真参数；以所述氧化仿真参数和所述注入仿真参数为依据，进行实际流片；还包括选取外延片，以所述氧化仿真参数和所述注入仿真参数为依据，在所述外延片上热氧化形成所述确定厚度的屏蔽层，并在形成有所述屏蔽层的外延片上进行离子注入；在已完成离子注入的外延层上形成碳保护膜，完成激活退火后去除所述外延层上覆盖的碳保护膜，本申请通过设置屏蔽氧化层将注入的离子在进入SiC晶片前的运动方向变为无序化，有效抑制了SiC晶片离子注入过程中的沟道效应。