华虹宏力“半导体器件的制造方法”专利获授权

天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司近日取得一项名为“半导体器件的制造方法”的专利，授权公告号为CN113611745B，授权公告日为2024年5月14日，申请日为2021年7月30日。

本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，衬底上依次形成有浮栅层和控制栅层；在浮栅层和控制栅层上形成暴露衬底的第一开口；在第一开口两侧分别形成第一字线结构和第二字线结构；在第一开口内形成第一光刻胶层，并延伸覆盖所述第一字线结构和第二字线结构，以扩大第一光刻胶层的工艺窗口；以所述第一光刻胶层为掩模刻蚀所述控制栅层和所述浮栅层，使所述第一字线结构和所述第二字线结构分别形成第一栅极结构和第二栅极结构。本发明通过形成第一开口使第一光刻胶层覆盖第一字线结构、第二字线结构和第一开口，增大第一光刻胶层的图形面积，从而增大所述第一光刻胶层的工艺窗口，减少或避免漂胶，提高产品良率。