X-Fab和 Soitec将在美国得州围绕碳化硅功率器件展开合作

纯晶圆代工厂 X-Fab 和 Soitec 将开始合作，在 X-Fab 位于德克萨斯州拉伯克的工厂提供 Soitec 的 SmartSiC 技术用于生产碳化硅功率器件。

此次合作是在评估阶段成功完成之后进行的，在此期间，X-Fab Texas 在 6英寸SmartSiC 晶圆上制造了碳化硅 (SiC) 功率器件。Soitec 将通过联合供应链寄售模式为X-Fab的客户提供 SmartSiC衬底的使用权。

SmartSiC是 Soitec的一项专有技术，基于该公司的SmartCut 工艺，其中将一层薄薄的高质量单晶 (mono-SiC)“供体”晶圆分离出来，并将其粘合到低电阻率多晶 (poly-SiC)“处理”晶圆上。由此产生的衬底可提高设备性能和制造产量。该工艺允许多次重复使用单个供体晶片，从而降低成本和相关的二氧化碳排放。

在这个快速增长的市场中，Soitec 正在其位于法国格勒诺布尔附近贝尔南的新工厂加大 SmartSiC 衬底的产量。X-Fab 正在拉伯克工厂提高 SiC 器件的生产能力。