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据中国光谷消息，6月18日，随着晶圆制造厂房最后一斗混凝土完成浇筑，年产36万片碳化硅晶圆的长飞先进武汉基地主体结构正式封顶。该基地于去年9月1日正式动工，预计明年7月量产通线。
（来源：中国光谷）
长飞先进武汉基地聚焦第三代半导体功率器件研发与生产，该项目投产后可年产36万片碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块，广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩等领域。
据悉，该项目总投资预计超过200亿元，占地面积约22.94万平方米，建筑面积约30.15万平方米，主要建设内容包括晶圆制造厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等。（校对/韩秀荣）
