中国光谷5月10日消息显示，长飞先进武汉基地项目首栋宿舍楼日前提前封顶。这标志着，该项目进入投产倒计时，预计于今年6月全面封顶，明年7月投产。该项目建成后，将成为国内最大的碳化硅功率半导体制造基地。
长飞先进武汉基地项目位于武汉新城中心片区，由长飞先进半导体（武汉）有限公司出资建设，总投资预计超过200亿元。该项目主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，应用范围可覆盖新能源汽车、光伏储能、充电桩、电力电网等领域。项目达产后，预计可年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块。
2023年9月1日，长飞先进半导体武汉基地开工仪式在武汉新城举行，当时消息显示，一期项目预计2025年建设完成。
据悉，该项目占地面积约22.94万平方米，建筑面积约30.15万平方米，主要建设内容包括芯片厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等，建设周期为578日历天。（校对/韩秀荣）
